【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及锁相环电路的状态的检测，更具体地讲，涉及锁相环电路的锁定检测电路。
技术介绍
锁相环电路已经成为现代电子系统中的基本构件之一。它们被广泛地用在通信、 多媒体以及其他应用中。锁相环电路的应用包括频率合成器、FM解调器、时钟恢复电路、调制解调器以及音频译码器等。锁相环电路是负反馈控制系统。附图说明图1示出传统的锁相环电路的示图。如图1所示， 锁相环电路包括鉴相器(PFD) 101、电荷泵102、环路滤波器103、压控振荡器(VCO) 104以及分频器105。鉴相器101基于基准信号SIN和反馈信号SFEED之间的相位差生成上信号 SUP和下信号SDN。电荷泵102根据上信号SUP和下信号SDN的状态生成电平彼此不同的输出信号。在环路滤波器103中过滤电荷泵102的输出信号的高频分量之后将该信号提供给压控振荡器104的一个输入端。压控振荡器104根据电压VCOI的DC电平生成具有不同频率的高频信号。分频器105基于高频VCO输出信号生成低频反馈信号SFEED。反馈信号 SPEED用作鉴相器101的输入。当基准信号SIN和反馈信号SFEED的相位差和频率差...
【技术保护点】
１．一种锁相环电路的锁定检测电路，所述锁定检测电路包括或非门电路、延迟电路以及触发器，触发器基于或非门电路和延迟电路的输出信号来检测锁相环电路的锁定状态，延迟电路具有至少一个延迟单元和为所述至少一个延迟单元提供偏置信号的偏置电路，其特征在于：所述偏置电路包括第一ＰＭＯＳ管（ＭＰ６０）、第二ＰＭＯＳ管（ＭＰ６１）、第一ＮＭＯＳ管（ＭＮ６１）、第二ＮＭＯＳ管（ＭＮ６２）以及偏置电阻器（ＲＢＩＡＳ），其中，第一ＰＭＯＳ管的源极连接到电源，第一ＰＭＯＳ管的漏极连接到第一ＮＭＯＳ管的漏极和第一ＮＭＯＳ管的栅极，第一ＮＭＯＳ管的源极接地；第二ＰＭＯＳ管的源极连接到电源，第二ＰＭＯＳ管的...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：林光远，
申请(专利权)人：三星半导体中国研究开发有限公司，三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：32
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