一种金属有机物化学气相沉积设备的加热器制造技术

一种金属有机物化学气相沉积设备的加热器，主要包括：由内至外依次设置的内圈加热片(7)、第一中圈加热片(8)、第二中圈加热片(9)、以及外圈加热片(10)；所述内圈加热片(7)、外圈加热片(10)、第一中圈加热片(8)和第二中圈加热片(9)采用两种或以上不同材质的加热片组成。加热器周边采用隔热屏(5)，这样减少加热器周边方向的热量损失，提高加热能效利用，也可以减少了周边零件因为受加热器辐射热量而对冷却的需求。采用转接块(3)实现了加热器安装电极和钼电极的电气连接连接，可以根据加热器下方的空间要求，改变转接块的形状和尺寸，解决空间狭小的问题。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体设备制造
，特别专注于金属有机物化学气相沉积 (MOCVD)设备的加热系统。技术背景MOCVD是适合生长半导体照明用LED材料外延片的良好技术。也是一种工业化的经济实用技术，其生长原理是在一块加热适当温度的衬底上，含有III和V族元素的气态化合物有控制的输送到衬底表面，生长出有特定组分、特定厚度、特定电学和光学参数的薄膜沉积材料。加热器是整个MOCVD设备的重要组成部分，为气相沉积过程提供温度环境保证。 以GaN生长为例，一般要求加热器上方的石墨盘温度高达1080°C，温度控制误差不超过士 1°C，这就对加热器自身的控制提出更高要求。而常规加热器采用钨或铼加热片，但是钨所能承受的热负荷比较低，所以在负载较大的MOCVD设备采用铼加热片。但铼加热片的价格比钨高数倍。另外一般加热器是安装在水冷却的腔体中，加热片的外圈和腔壁的距离一般不超过40mm。常规不采用隔热屏的加热器热量会直接辐射到腔壁内侧，这样一方面加热器的加热效率大大降低，也给腔壁的冷却带来困难。随着MOCVD设备的不断发展，腔体外径一定的情况下如何同时生长更多WAFER也越来越受关注，所以对加热器的本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种金属有机物化学气相沉积设备的加热器，其特征在于，包括：由内至外依次设置的内圈加热片（７）、第一中圈加热片（８）、第二中圈加热片（９）、以及外圈加热片（１０）；所述内圈加热片（７）、外圈加热片（１０）、第一中圈加热片（８）和第二中圈加热片（９）采用两种或以上不同材质的加热片组成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：常依斌，王小举，李刚，
申请(专利权)人：上海蓝宝光电材料有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31