前体传输系统技术方案

前体传输系统。提供一种用于向反应腔室提供汽化前体的前体源容器。该前体源容器包括具有第一端口、第二端口和第三端口的盖。该前体源容器还包括可拆除地附着到该盖的基座。该基座包括形成于其中的凹陷区。该第一、第二和第三端口之一是排气端口，该排气端口构造成在半导体工艺中安装源容器之后但在使用源容器之前，释放源容器内的压头。

【技术实现步骤摘要】

本申请一般地涉及半导体处理装置，且具体涉及用于传输反应物气体到处理腔室的设备。
技术介绍
化学气相沉积(CVD)是半导体产业中用于在诸如硅晶片的衬底上形成材料薄膜的已知工艺。在CVD中，不同反应物的反应物气体(在此也被称为“前体气体”)被传输给反应腔室中的一个或多个衬底。在很多情况下，反应腔室仅包括被支承在衬底支架(诸如基座)上的单个衬底，其中衬底和衬底支架被维持在期望的工艺温度。反应物气体彼此反应以形成衬底上的薄膜，其中生长率由温度或反应物气体的量来控制。在一些应用中，将反应物气体以气体形式存储在反应物源容器中。在这些应用中， 反应物蒸汽在环境压力(即正常压力)和环境温度下经常为气态。这些气体的示例包括氮气、氧气、氢气和氨气。然而，在一些情况下，使用在环境压力和环境温度下为液体或固体 (例如氯化铪)的源化学物质(“前体”)的蒸汽。这些源化学物质必须被加热以产生足够数量的蒸汽以用于反应过程。对于一些固体物质(在此被称为“固体源前体”)，室温下的蒸汽压力低至它们必须被加热以产生足够数量的反应物蒸汽且/或必须被维持在非常低的压力下。一旦汽化，重要的是要使气相反应物在整个处理系统中保持在本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种前体源容器，包括：盖，所述盖具有入口端口、出口端口和排气端口；以及基座，所述基座可拆除地附连至所述盖，所述基座具有形成于所述基座中的凹陷区。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：K·冯度鲁里亚，E·谢罗，M·E·韦格赫瑟，C·L·怀特，
申请(专利权)人：ASM美国股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US