多晶硅还原炉异型喷嘴制造技术

本实用新型专利技术涉及一种多晶硅还原炉异型喷嘴，喷嘴与进气管连接，所述喷嘴为一管道；所述管道为直管，所述直管与进气管连接；所述管道为弯管，所述弯管与进气管连接；所述直管上连接弯管，所述直管与进气管连接。所述管道远离进气管的一端为喷嘴出口，所述喷嘴出口与垂直方向呈一角度。本实用新型专利技术提供的多晶硅还原炉异型喷嘴，喷嘴上包含弯管以及通过喷嘴出气口位置的调整，可以很好的改善还原炉内部气体流场的均匀与稳定，提高多晶硅生产质量。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种喷嘴结构，尤其是一种新型的用于多晶硅还原炉上的喷嘴结构。
技术介绍
目前在太阳能多晶硅领域应用最普遍的工艺路线是西门子法，作为西门子法生产多晶硅的核心设备多晶硅还原炉，炉内进行的主要反应如下SiHCl3+H2-Si+3HC12SiHCl3-Si+SiCl4+2HCl上述反应实质上是气相沉积反应，反应所需的温度为1080度左右，在反应过程中，进气喷嘴直接决定了还原炉的内部流场是否均勻，进而导致混合气的反应是否充分，以及沉积的多晶硅质量。现有的还原炉喷嘴均为不可调节，在实际生产过程中，无法对设备内部的流场进行调整，将导致还原炉内部气体流场不均勻，进而降低多晶硅的生产质量。
技术实现思路
本技术提供的多晶硅还原炉异型喷嘴，目的在于提供一种进气喷嘴方位和角度可调的多晶硅还原炉，使得气体流场调节更加方便，进而保证还原炉内部气体的流场均勻与稳定，提高多晶硅生产质量。为解决上述问题，本技术提供的多晶硅还原炉异型喷嘴，喷嘴与进气管连接， 所述喷嘴为一管道。作为本技术的一种优选方案，所述管道为直管，所述直管与进气管连接。作为本技术的一种优选方案，所述管道为弯管，所述弯管与进气管连接。作为本技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．多晶硅还原炉异型喷嘴，喷嘴与进气管连接，其特征在于：所述喷嘴为一管道。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张华芹，许国文，郑飞龙，李东曦，茅陆荣，
申请(专利权)人：上海森松新能源设备有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31