有机无机复合激光热刻蚀薄膜和微纳图形制备的方法技术

一种有机无机复合激光热刻蚀薄膜和微纳图形制备的方法，该有机无机复合激光热刻蚀薄膜包括沉积在基片上的ZnS-SiO2薄膜和旋涂在ZnS-SiO2薄膜上的腙类金属螯合物有机薄膜。所述的微纳图形制备的方法是采用激光直写装置对有机无机复合激光热刻蚀薄膜进行辐照，然后溶解去除有机层，并在显影液中显影，以获得超越光学衍射极限的微纳图形。该有机无机复合激光热刻蚀薄膜结构简单，制备工艺参数可控性好，重复性高，结合有机薄膜光敏感度好、光热转化效率高，结构与吸收波长易于调节和无机薄膜分辨率高的特点，能够实现超越光学衍射极限的微纳图形的制备，有望被用来制备光盘母盘、光刻或纳米压印模板、光学器件、二维光子晶体等。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于激光热刻蚀光刻领域，具体涉及到一种。
技术介绍
激光热刻蚀技术是2002年由日本的MKuwahara等人提出(参考文献 M. Kuwahara, J. M. Li, C. Mihalcea, N. Atoda, J. Tominaga, L. P. Shi, Jpn. J. Appl. Phys. 2002 ； 41，L1022-L1024.)，该技术主要利用激光热刻蚀材料的热变化阈值效应实现超分辨光刻。 首先利用脉冲激光直接辐照热刻蚀薄膜，热刻蚀薄膜吸收光子后产生热效应引起热刻蚀薄膜的物理或化学性质发生变化，最终实现在显影液中选择性显影。该技术具有光刻装置成本低，控制容易，光刻工艺简单、制造成本低等优势。当前主要用于以下几个方面制造高密度蓝光光盘母盘；制造光刻或纳米压印模板；微纳光学、光子学器件；制备LED器件或太阳能薄膜表面阵列结构增强其发光效率或光电转换效率。2006 年 H. Miura 等把 SiS-SW2 (80mol % 20mol % )薄膜用于激光热刻蚀， 并获得了小于激光衍射极限的的微纳图形结构，并采用干法刻蚀将制备的微纳图形结构转移到了石英基片本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种有机无机复合激光热刻蚀薄膜，特征在于其构成包括沉积在基片（３）上的ＺｎＳ－ＳｉＯ２薄膜（２）和旋涂在ＺｎＳ－ＳｉＯ２薄膜（２）上的腙类金属螯合物有机薄膜（１）；所述的基片（３）为厚度０．１～３ｍｍ的Ｓｉ片或聚碳酸酯片；所述的ＺｎＳ－ＳｉＯ２薄膜（２）的厚度为５０～５００ｎｍ，该ＺｎＳ－ＳｉＯ２薄膜（２）的ＺｎＳ－ＳｉＯ２的成分比为８０ｍｏｌ％∶２０ｍｏｌ％；所述的腙类金属螯合物有机薄膜（１）为厚度５０～１５０ｎｍ，的腙镍螯合物、或腙钴螯合物、或腙铜螯合物、或腙锌螯合物。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李豪，耿永友，吴谊群，
申请(专利权)人：中国科学院上海光学精密机械研究所，
类型：发明
国别省市：31