氟氧化镧铈稀土抛光液及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种氟氧化镧铈稀土抛光液及其制备方法，所述氟氧化镧铈稀土抛光液，以水为载体，含有氟氧化镧铈抛光粉、分散剂和pH值调节剂；分散剂的含量为抛光液总质量的0.5～1wt％，pH值调节剂的用量，以抛光液pH值达到8.5-10.0为准，所述抛光液质量固含量为25-45wt％，铈占镧铈总质量的60-80wt％，氟的质量分数为氟氧化镧铈总质量的3-5wt％。本发明专利技术对氧化硅玻璃具有悬浮性稳定性高、抛光速率快、划伤少和耐磨性高的性能特征，对应稀土颗粒粒度小，通过添加pH值调节剂和有机分散剂，从而延缓了液料中磨料的沉降，提高了抛光液对玻璃基片的抛光速率，并减少了划伤的发生。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种稀土抛光液及其制备方法。
技术介绍
化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)作为目前能够在半导体制造过程中提供全局平坦化的重要技术，将随着半导体技术的不断发展，半导体元件结构不断减小，而发挥越来越大的作用。CMP整体装置主要由工件承载器、置放抛光垫的平台和浆料供给器三部分结合而成。在进行化学机械抛光时，工件在承载器的带动下进行旋转，压头以一定的压力作用下同样进行旋转着的抛光垫上，由磨料和化学溶液组成的抛光浆料在工件和抛光垫两者之间流动。此时，由于浆料中的化学物质以及磨料与工件表面产生水解或腐蚀等化学反应，在工件表面形成一层易除去的氧化膜。之后用浆料中的磨料和抛光垫的机械作用将这层膜清除， 并随抛光浆料流走，使得工件裸露出新的表面。此后又经历抛光浆料的化学腐蚀和机械作用，重新被去除。循环进行上述的抛光浆料对工件的化学机械作用，就完成了对工件的化学机械抛光。稀土抛光浆液具有硬度低、划伤少、抛光速度快和精度高等特点，在抛光过程中， 稀土抛光浆料所起的作用主要是通过化学作用在工件表面形成一层膜，而后抛光浆料中的磨料通过机械作用将本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．氟氧化镧铈稀土抛光液，其特征在于，以水为载体，含有氟氧化镧铈抛光粉、分散剂和ｐＨ值调节剂；其中，分散剂的含量为抛光液总质量的０．５～１ｗｔ％，ｐＨ值调节剂的用量，以抛光液ｐＨ值达到８．５－１０．０为准，所述抛光液质量固含量为２５－４５ｗｔ％，铈占镧铈总质量的６０－８０ｗｔ％，氟的质量分数为氟氧化镧铈总质量的３－５ｗｔ％。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：尹先升，高玮，赵月昌，杨筱琼，陈曦，赵秀娟，
申请(专利权)人：上海华明高纳稀土新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：31