【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种新型化合物、含有该化合物的聚合物及包含该聚合物的化学放大型抗蚀剂组合物，在该组合物中使用该化合物和通过聚合作为单体的该化合物而生成的聚合物，从而允许该组合物均勻分散并使得该组合物适于形成精细图案，该组合物具有诸如高附着力、高灵敏度和高热稳定性以及气体生成的量减少等特性，并且可以改善分辨率和线边缘粗糙度。更具体而言，本专利技术涉及一种新型化合物，其可用于制备能够通过采用各种辐射形成图案的抗蚀剂，如KrF准分子激光器或ArF准分子激光器等的远红外辐射、X-射线如同步辐射以及带电粒子辐射如电子束，并因而适用于微加工；还涉及通过聚合作为单体的该化合物而生成的聚合物；和包含该聚合物的化学放大型抗蚀剂组合物。
技术介绍
近年来，随着半导体工业中使用的光刻技术已经被亚50纳米 (sub-50-nanometer)的技术所取代，预期会出现更新和更先进的技术。虽然使用极端紫外(EUV)辐射的光刻技术是能够图案化的重要技术中的一种，但是实现亚32纳米 (sub-32-nanometer)图案的技术要求非常困难的过程。使用193nm波长的光刻技术被认为是一种可以在未来实现亚32纳米图案的技术的重要手段，并且通过增大数值孔径(NA)，使得这种技术成为可能。根据Rayleigh方程，为了增大浸渍液体或浸渍抗蚀剂的折射率，数值孔径可以增大，同时分辨率也可以增大。此外，折射率的增大也可以导致景深(DOF)的增大。R= (Kl · λ )/(NA)，NA = nsin θR=分辨率，λ =波长，NA=数值孔径，η=折射率，θ =入射角。对用于改进诸如分辨率、灵敏度、折...
【技术保护点】
１．一种由下式（１）代表的化合物：［式１］其中在式（１）中，Ｒ１１代表选自氢原子、具有１～１０个碳原子的烷基、具有１～１０个碳原子的全氟烷基和具有１～１０个碳原子的烷氧基中的任一种；Ｑ１和Ｑ２各自独立地代表选自氢原子和卤素原子中的任一种；和Ａ＋代表有机抗衡离子。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱炫相，韩俊熙，李承宰，金惠渊，
申请(专利权)人：锦湖石油化学株式会社，
类型：发明
国别省市：KR
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