本发明专利技术提供一种等离子体处理装置，所述等离子体处理装置易于开始等离子体放电，或者能够抑制等离子体处理中由辅助等离子体导致的多余的电力消耗。本发明专利技术提供一种等离子体处理装置，所述等离子体处理装置具有：第1电极；在与上述第1电极之间生成等离子体的第2电极；在与上述第1电极之间生成等离子体的第3电极；气体导入部，在上述第1电极与第2电极之间的空间、及上述第1电极与第3电极之间的空间中导入气体；电压施加部，在上述第1电极与上述第2电极之间、及上述第1电极与上述第3电极之间施加电压；第1间隔改变部或第2间隔改变部，所述第1间隔改变部改变上述第1电极与第2电极之间的间隔，所述第2间隔改变部改变上述第1电极与第3电极之间的间隔；控制部，控制上述第1间隔改变部或第2间隔改变部的间隔改变操作和上述电压施加部的电压施加操作。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在大气压下或大气压附近下对被处理物照射等离子体进行表面处理的，涉及例如对环氧玻璃基板的金属电极及树脂等进行等离子体处理，进行提高金属的接合性及树脂粘合性的表面处理的等离子体处理装置和等离子体处理方法。
技术介绍
已经广泛采用下述方法，S卩，在大气压附近下，将固体电介质配置在平行平板电极的至少一方，对电极间施加交流电压产生辉光放电等离子体。使用利用上述方法产生的等离子体对被处理物进行表面处理时采取下述方式将被处理物配置在接地电极面上，直接照射等离子体的直接等离子体方式；和将被处理物配置在平行平板电极间的开放面上，利用气流远程供给等离子体或自由基的远程等离子体方式。与远程等离子体方式相比，直接等离子体方式中从等离子体区域到被处理物的距离短，所以能够以高密度将承担处理反应的电子、离子及自由基供给到被处理物。此外，大气压附近下的辉光放电中由于电极间隔短，所以平行平板电极的面积大于开放面的面积。 由于上述2种效果，所以直接等离子体方式与远程等离子体方式相比处理反应速度高且处理面积大。直接等离子体方式中，报道了被处理物的材质为导体或绝缘体时均可产生能够实现迅速的处理的面状等离子体的等离子体处理装置。专利文献1中公开了下述技术，即，在 2片平行平板电极中，在电场施加电极和与其垂直面对置的接地电极之间生成等离子体，与该等离子体连续地在电场施加电极下面生成等离子体，使用在其下面生成的等离子体照射被处理物。专利文献2中公开了下述技术，S卩，与电场施加电极侧面相邻地配置用作辅助等离子体接地极的电极，在上述2个电极之间产生辅助的等离子体后，对设置于电场施加电极正下方的被处理物照射主等离子体。专利文献2中公开了下述内容辅助等离子体接地极的面积小，且辅助等离子体接地极与外加电力电极之间的间隔短，因此，可以以少的能量开始及维持放电。专利文献1及2所述技术的共同之处在于，与电场施加电极对置地设置用于配置被处理物的接地电极，除此之外，在电场施加电极侧面设置辅助接地电极，在电场施加电极与辅助接地电极之间生成辅助等离子体。[专利文献1]日本特开2007-237080号公报[专利文献2]日本特表2007-525801号公报
技术实现思路
在
技术介绍
所述的使用辅助的接地电极的技术中，电场施加电极与辅助接地电极之间的间隔为规定的固定值，因此即使对被处理物照射等离子体的过程中也会产生辅助等离子体。被处理物的处理主要由在被处理物上展开的等离子体承担，所以从节省电力及节省能源的观点考虑时，用于维持上述辅助等离子体的电力是不必要的或是过量的电力。对上述专利文献中的辅助等离子体的消耗电力进行研究。专利文献1中从代表图判断，认为由于辅助等离子体的面积为与被处理物上的面积等同至其一半左右，所以辅助等离子体占总消耗电力的1/4 1/2左右。专利文献2中，辅助等离子体占总消耗电力的约 1/4。因此，本专利技术的目的在于提供等离子体表面处理装置及等离子体处理方法，所述等离子体表面处理装置及等离子体处理方法特别是在对被处理物的全部面状进行等离子体处理，即，对被处理物的整个面同时进行等离子体处理时，可以以低电力开始放电而产生辅助等离子体，或者在被处理物的处理中无需产生及维持辅助等离子体，抑制不需要的电力消耗。本专利技术是为了解决上述课题而完成的，在等离子体处理装置中，具有第1电极、第 2电极、第3电极和间隔改变部，所述第2电极在与上述第1电极之间生成等离子体，所述第 3电极在与上述第1电极之间生成等离子体，所述间隔改变部改变上述第1电极与上述第2 电极之间的间隔、或上述第1电极与上述第3电极之间的间隔，使开始放电时和等离子体处理时的上述第1电极与上述第2电极之间的间隔不同，或开始放电时和等离子体处理时的上述第1电极与上述第3电极之间的间隔不同。根据本专利技术，能够降低开始放电时所需的电力。或者，能够抑制在等离子体处理中由辅助等离子体导致的不需要的电力消耗，对被处理物进行等离子体处理。附图说明[图1]为本专利技术的第2实施方式的等离子体处理装置的立体图。[图2]为表示本专利技术的第2实施方式的等离子体处理装置中被处理物交换时的方式的立体图。[图3]为本专利技术的第1实施方式的等离子体处理装置的正面截面图。[图4]为表示本专利技术的第1实施方式的等离子体处理装置的气体导入装置的立体图。[图5]为本专利技术的第1实施方式的等离子体处理装置的气体导入部的截面图。[图6]为说明本专利技术的第1实施方式的等离子体处理装置中改变电极间隔的方式的正面截面图。[图7]为说明本专利技术的第1实施方式的等离子体处理装置中改变电极间隔的方式的正面截面图。[图8]为本专利技术的第2实施方式的等离子体处理装置的正面截面图。[图9]为本专利技术的第3实施方式的等离子体处理装置的正面截面图。[图10]为本专利技术的第4实施方式的等离子体处理装置的正面截面图。[图11]为本专利技术的第4实施方式的等离子体处理装置的内含接地电极的旋转体的放大正面截面图。[图12]为本专利技术的第5实施方式的等离子体处理装置的正面截面图。[图13]为用于说明本专利技术的第5实施方式的接地电极的立体图。[图14]为用于说明本专利技术的第5实施方式的接地电极变形例的立体图。[图15]为本专利技术的第6实施方式的等离子体处理装置的正面截面图。[图16]为本专利技术的第6实施方式的等离子体处理装置的内含接地电极的旋转体的放大正面截面图。[图17]为本专利技术的第6实施方式的等离子体处理装置的内含接地电极的旋转体的变形例的放大正面截面图。符号说明1 · ·电场施加电极、2 · ·接地电极、3 · ·接地电极、3a · ·接地电极、3b · ·接地电极、3c· 接地电极、3d· 接地电极、4a· ·电介质、4b· ·电介质、4c · ·电介质、 5 · ·绝缘体、6 · ·交流电源、7a · ·间隔改变部、7b · ·间隔改变部、8 · ·台架、9 · ·等离子体区域、10· 气体限制壁、11· 气体限制壁、12· 移动装置、13· 内含接地电极的旋转体、13a· 绝缘体、1北· 旋转轴、14· 旋转体支承体、15· 气体导入装置、 15a· 气体导入部、1恥· 气体限制壁、15c· 气体限制壁、15d· 气体供给管、20· 控制部、30· 被处理物。具体实施例方式以下使用附图说明本专利技术的实施方式。(第1实施方式)图1为第2实施方式的等离子体处理装置的立体图，是从前面侧观察到的图，如果除去图1中的气体限制壁10，则与第1实施方式的等离子体处理装置相同，所以使用图1简要地说明第1实施方式的等离子体处理装置。图1中，1为电场施加电极。2为与电场施加电极1对置设置的接地电极。30为用作等离子体处理对象的被处理物，装载在接地电极2上。3为以独立于接地电极2的方式设置于接地电极2两端的接地电极。在图1的状态下，首先使接地电极3靠近电场施加电极1，在电场施加电极1与接地电极3之间开始用于产生等离子体的放电(等离子体放电)。之后，使载置有被处理物 30的接地电极2上升，使其靠近电场施加电极1，在电场施加电极1与接地电极2之间产生等离子体，对被处理物30进行等离子体处理。被处理物30的等离子体处理结束后，如图2 所示，通过将未处理的被处理物30a送到接地电极2上，从等离子体本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种等离子体处理装置，其特征在于，具有：第１电极；在与所述第１电极之间生成等离子体的第２电极；在与所述第１电极之间生成等离子体的第３电极；气体导入部，在所述第１电极与所述第２电极之间的空间、及所述第１电极与所述第３电极之间的空间中导入气体；和电压施加部，在所述第１电极与所述第２电极之间、及所述第１电极与所述第３电极之间施加电压，在所述等离子体处理装置中还具有：第１间隔改变部或第２间隔改变部，所述第１间隔改变部改变所述第１电极与所述第２电极之间的间隔，所述第２间隔改变部改变所述第１电极与所述第３电极之间的间隔；和控制部，控制所述第１间隔改变部或所述第２间隔改变部的间隔改变操作和所述电压施加部的电压施加操作。
【技术特征摘要】
2010.07.02 JP 2010-152166;2010.11.25 JP 2010-262351.一种等离子体处理装置，其特征在于，具有 第1电极；在与所述第1电极之间生成等离子体的第2电极； 在与所述第1电极之间生成等离子体的第3电极；气体导入部，在所述第1电极与所述第2电极之间的空间、及所述第1电极与所述第3 电极之间的空间中导入气体；和电压施加部，在所述第1电极与所述第2电极之间、及所述第1电极与所述第3电极之间施加电压，在所述等离子体处理装置中还具有第1间隔改变部或第2间隔改变部，所述第1间隔改变部改变所述第1电极与所述第 2电极之间的间隔，所述第2间隔改变部改变所述第1电极与所述第3电极之间的间隔；和控制部，控制所述第1间隔改变部或所述第2间隔改变部的间隔改变操作和所述电压施加部的电压施加操作。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于， 具有所述第1间隔改变部及所述第2间隔改变部，所述第2间隔改变部独立于所述第1间隔改变部地进行间隔改变操作。3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于， 在所述第2电极上载置被处理物，所述控制部进行如下控制在所述第1电极与所述第3电极之间开始等离子体生成时， 使所述第1电极与所述第3电极之间的间隔小于所述第1电极与所述第2电极之间的间隔， 在所述等离子体生成开始后，使所述第1电极与所述第3电极之间的间隔大于所述第1电极与所述第2电极之间的间隔。4.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于， 在所述第2电极上载置被处理物，所述控制部进行如下控制在所述第1电极与所述第3电极之间开始等离子体生成时， 使所述第1电极与所述第3电极之间的间隔小于所述第1电极与所述第2电极之间的间隔， 在所述等离子体生成开始后，使所述第1电极与所述第2电极之间的间隔与所述第1电极与所述第3电极之间的间隔大致相同。5.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述控制部进行如下控制使所述第3电极靠近所述第1电极，在所述第1电极与所述第3电极之间的间隔小于所述第1电极与所述第2电极之间的间隔的状态下，在所述第1 电极与所述第2电极之间、及所述第1电极与所述第3电极之间施加电压，在所述第1电极与所述第3电极之间生成等离子体，在生成了所述等离子体的状态下，使所述第2电极靠近所述第1电极，在所述第1电极与所述第2电极之间生成等离子体。6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述控制部进行...
【专利技术属性】
技术研发人员：深谷康太，大野茂，福田正行，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术仪器，
类型：发明
国别省市：JP
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