离子源弧室制造技术

本实用新型专利技术公开了一种离子源弧室，包括盖板及具有容置空间的弧室壁，所述容置空间具有一开口，所述离子源弧室还包括尺寸与所述盖板匹配的垫片，所述垫片与所述盖板重叠后盖设于所述开口处，所述盖板中间部位开设有盖板孔，所述垫片与所述盖板孔相对应的位置开设有垫片孔，所述垫片孔的尺寸小于所述盖板孔的尺寸，使离子束通过所述垫片孔时被所述垫片所遮挡。这种离子源弧室，通过增加了垫片，能够很好的控制弧室孔孔径，从而改善吸取电流、束流稳定性和注入均匀性，当弧室孔孔径发生变化后，更换垫片即可，从而延长了盖板的使用寿命。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

离子源弧室
本技术涉及一种离子源弧室。
技术介绍
传统的离子源弧室，当离子源工作一段时间后盖板会因为不断的被离子冲击，使弧室孔越来越大，吸取电流也跟随变大，束流稳定性变差，注入均勻性变差。而且，当吸取电流到达一定数值时，高压变得不稳定，引起束流不稳定，并且起弧也变得越来越难。因此，传统的盖板使用两、三个离子源周期后就需要更换，使用寿命较短。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种盖板使用寿命较长的离子源弧室。一种离子源弧室，包括盖板及具有容置空间的弧室壁，所述容置空间具有一开口， 所述离子源弧室还包括尺寸与所述盖板匹配的垫片，所述垫片与所述盖板重叠后盖设于所述开口处，所述盖板中间部位开设有盖板孔，所述垫片与所述盖板孔相对应的位置开设有垫片孔，所述垫片孔的尺寸小于所述盖板孔的尺寸，使离子束通过所述垫片孔时被所述垫片所遮挡。优选的，所述盖板与所述垫片重叠后所述盖板设置于远离所述容置空间的一侧。优选的，所述弧室壁包括底板、设置在所述底板上并与所述底板围成容置空间的侧壁。优选的，所述垫片厚度为0.6 0.8mm。优选的，所述垫片厚度为0.7mm。优选的，所述垫片孔为长条状，其尺寸为4. 85mmX2. 2mmX0. 6mm。优选的，所述盖板孔为梯形孔，所述盖板孔靠近所述容置空间的开口尺寸较大，而远离所述容置空间的开口尺寸较小。这种离子源弧室，通过增加了垫片，能够很好的控制弧室孔孔径，从而改善吸取电流、束流稳定性和注入均勻性，当弧室孔孔径发生变化后，更换垫片即可，从而延长了盖板的使用寿命。附图说明图1为一实施方式的离子源弧室的剖面示意图；图2为图1所示离子源弧室的盖板的俯视图；图3为图2所示盖板的剖面示意图；图4为图1所示离子源弧室的垫片的俯视图；图5为图4所示垫片的剖面示意图。具体实施方式以下结合附图和实施例对离子源弧室做进一步的解释说明。如图1所示的离子源弧室，包括底板10、侧壁20、垫片30以及盖板40。本实施例中，由侧壁20和盖板40组成弧室壁；在其他的实施例中，弧室壁也可以是一体成型的。侧壁20设置在底板10上，并与底板10围成一容置空间50。垫片30与盖板40尺寸大致相等，垫片30与盖板40重叠后放置在容置空间50的开口处，且垫片30位于靠近容置空间50的一侧。如图2和图3所示的盖板40，中间开设有盖板孔42，盖板孔42为梯形孔，靠近容置空间50的开口尺寸较大，而远离容置空间50的开口尺寸较小。如图4和图5所示的垫片30，垫片30在与盖板40设有盖板孔42的对应位置，即垫片30中间开设有垫片孔32。垫片30厚度可以为0. 6 0. 8mm，本实施方式中，厚度为0. 7mm。垫片孔32为长条状，尺寸为4. 85mmX2. 2mmX0. 6mm，盖板孔42大于垫片孔32。垫片30材质与盖板40相同，规格上垫片30与盖板40相匹配，垫片孔32和盖板孔42共同起到限制离子束的作用，即垫片孔32和盖板孔42共同组成弧室孔，从而能够很好的控制弧室孔孔径，从而改善吸取电流、束流稳定性和注入均勻性。由于垫片孔32的尺寸小于盖板孔42的开口尺寸，使得离子束首先冲击垫片32，当垫片孔32的孔径发生变化后，只需要更换垫片30即可，而不同于传统的离子源弧室，需要更换盖板40，从而延长了盖板40的使用寿命。一般的，盖板40厚度比垫片30大很多，垫片30的制作成本远低于盖板40，这样就降低了生产成本。以上所述实施例仅表达了本技术的一种或几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。权利要求1.一种离子源弧室，包括盖板及具有容置空间的弧室壁，所述容置空间具有一开口，其特征在于，所述离子源弧室还包括尺寸与所述盖板匹配的垫片，所述垫片与所述盖板重叠后盖设于所述开口处，所述盖板中间部位开设有盖板孔，所述垫片与所述盖板孔相对应的位置开设有垫片孔，所述垫片孔的尺寸小于所述盖板孔的尺寸，使离子束通过所述垫片孔时被所述垫片所遮挡。2.如权利要求1所述的离子源弧室，其特征在于，所述盖板与所述垫片重叠后所述盖板设置于远离所述容置空间的一侧。3.如权利要求1所述的离子源弧室，其特征在于，所述弧室壁包括底板、设置在所述底板上并与所述底板围成容置空间的侧壁。4.如权利要求1所述的离子源弧室，其特征在于，所述垫片厚度为0.6 0. 8mm。5.如权利要求4所述的离子源弧室，其特征在于，所述垫片厚度为0.7mm。6.如权利要求1所述的离子源弧室，其特征在于，所述垫片孔为长条状，其尺寸为 4. 85mmX 2. 2mmX0. 6mm。7.如权利要求1所述的离子源弧室，其特征在于，所述盖板孔为梯形孔，所述盖板孔靠近所述容置空间的开口尺寸较大，而远离所述容置空间的开口尺寸较小。专利摘要本技术公开了一种离子源弧室，包括盖板及具有容置空间的弧室壁，所述容置空间具有一开口，所述离子源弧室还包括尺寸与所述盖板匹配的垫片，所述垫片与所述盖板重叠后盖设于所述开口处，所述盖板中间部位开设有盖板孔，所述垫片与所述盖板孔相对应的位置开设有垫片孔，所述垫片孔的尺寸小于所述盖板孔的尺寸，使离子束通过所述垫片孔时被所述垫片所遮挡。这种离子源弧室，通过增加了垫片，能够很好的控制弧室孔孔径，从而改善吸取电流、束流稳定性和注入均匀性，当弧室孔孔径发生变化后，更换垫片即可，从而延长了盖板的使用寿命。文档编号H01J37/32GK202094079SQ201020662788公开日2011年12月28日 申请日期2010年12月16日 优先权日2010年12月16日专利技术者周长银, 林义鹏, 武大柱 申请人:深圳深爱半导体股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种离子源弧室，包括盖板及具有容置空间的弧室壁，所述容置空间具有一开口，其特征在于，所述离子源弧室还包括尺寸与所述盖板匹配的垫片，所述垫片与所述盖板重叠后盖设于所述开口处，所述盖板中间部位开设有盖板孔，所述垫片与所述盖板孔相对应的位置开设有垫片孔，所述垫片孔的尺寸小于所述盖板孔的尺寸，使离子束通过所述垫片孔时被所述垫片所遮挡。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林义鹏，武大柱，周长银，
申请(专利权)人：深圳深爱半导体股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94