本发明专利技术公开了一种平板电极固定结构，属于等离子体刻蚀技术领域。所述平板电极固定结构包括绝缘支撑，绝缘支撑上设置有多个进气孔，上电极和下电极围绕进气孔均匀分布。绝缘支撑的厚度为5～1000mm。绝缘支撑由绝缘材料制成，绝缘材料为陶瓷、石英、聚四氟或聚碳酸酯。上电极和下电极之间施加的射频电源频率为0～10GHz。上电极和下电极之间的距离为2～1000mm。上电极和下电极的面积直径为20～3000mm。本发明专利技术的平板电极固定结构可以使等离子体启辉的均匀性分布范围更宽，尤其是边缘的均匀性效果更好；在等离子体启辉条件下，本发明专利技术的平板电极固定结构没有放气现象，可以保持真空腔室对真空度的要求。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及等离子体刻蚀
，特别涉及一种平板电极固定结构。
技术介绍
在等离子体刻蚀工艺中所用的电极具有多种形式，选择合理可靠的电极固定形式，对于等离子工艺的稳定性有着重要的作用。平板电极是等离子刻蚀、沉积等工艺中常用的电极形式，该平板电极21通过采用如图1所示的周边多点方式进行固定，平板电极21由电极固定周边孔22通过螺栓固定悬挂在工艺腔室的上端，而且这种方式无法固定在腔室的中间位置，不能满足某些工艺要求。这种电极固定结构在螺栓固定周边孔边缘容易出现等离子体不均勻现象，并且这种结构物理特性的场对称性比较差，不能满足气流或等离子体轴对称性要求，容易产生分段循环的或间距不等的波动的物理场，例如热场、流场或电磁场等等，从而影响等离子体工艺的均勻性与可靠性。
技术实现思路
为了解决现有等离子体电极在腔室中部固定及由固定结构引起的等离子体不均勻问题，本专利技术提供了一种平板电极固定结构，包括绝缘支撑，所述绝缘支撑上设置有多个进气孔，上电极和下电极围绕所述进气孔均勻分布。所述上电极和下电极均为金属电极。所述金属电极的材料为石墨、钼、镀锌铝、不锈钢、铝合金或无氧铜。所述绝缘支撑的厚度为5 1000mm。所述绝缘支撑由绝缘材料制成。所述绝缘材料为陶瓷、石英、聚四氟或聚碳酸酯。所述上电极和下电极之间施加的射频电源频率为0 IOGHz。所述上电极和下电极之间的距离为2 1000mm。所述上电极和下电极的面积直径为20 3000mm。本专利技术的平板电极固定结构可以将电极固定在腔室的中间部位；本专利技术的平板电极固定结构可以使等离子体启辉的均勻性分布范围更宽，尤其是边缘的均勻性效果更好； 在等离子体启辉条件下，本专利技术的平板电极固定结构没有放气现象，可以保持真空腔室对真空度的要求。附图说明图1是现有技术平板电极多点固定结构示意图； 图2是本专利技术实施例提供的平板电极固定结构示意图。具体实施例方式下面结合附图和实施例，对本专利技术技术方案作进一步描述。3如图2所示，本专利技术实施例提供了一种平板电极固定结构，包括绝缘支撑13，绝缘支撑13上设置有多个进气孔，上电极12和下电极14围绕进气孔均勻分布。上电极12和下电极14为金属电极，金属电极的材料可以但不限于石墨、钼、镀锌铝、不锈钢、铝合金或无氧铜等。绝缘支撑13的厚度为5 1000mm。绝缘支撑13由绝缘材料制成，绝缘材料可以但不限于陶瓷、石英、聚四氟或聚碳酸酯等。上电极12和下电极14之间施加的射频电源频率为0 IOGHz。上电极12和下电极14之间的距离为2 1000mm。上电极和下电极的面积直径为20 3000mm。在本实施例中，上电极12通过绝缘支撑13固定在等离子体腔室中部,反应气通过进气口 11进入等离子体腔室，对下电极14施加RF射频功率，上电极12和载片台16接地，气体启辉放电，对芯片15进行等离子体刻蚀处理。在实际应用中，还可以通过调整绝缘支撑13的范围和厚度，以及下电极14和载片台16之间的距离，来满足不同等离子工艺的要求。本实施例的平板电极固定结构在等离子体真空腔室内具有抗腐蚀性特征，可以解决等离子体腔室上部均勻进气和上电极加载射频之间的矛盾，并且可以提高芯片处理的均勻性，广泛应用于等离子体刻蚀、淀积等工艺中。本专利技术实施例的平板电极固定结构可以将电极固定在腔室的中间部位；本专利技术实施例的平板电极固定结构可以使等离子体启辉的均勻性分布范围更宽，尤其是边缘的均勻性效果更好；在等离子体启辉条件下，本专利技术实施例的平板电极固定结构没有放气现象，可以保持真空腔室对真空度的要求；在电场内部，保持平板电极固定结构的物理结构的对称性，从而使其物理特性保持场对称性，从而有效提高了等离子体工艺的均勻一致性。以上所述的具体实施例，对本专利技术的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本专利技术的具体实施例而已，并不用于限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。权利要求1.一种平板电极固定结构，包括绝缘支撑，其特征在于，所述绝缘支撑上设置有多个进气孔，上电极和下电极围绕所述进气孔均勻分布。2.如权利要求1所述的平板电极固定结构，其特征在于，所述上电极和下电极均为金属电极。3.如权利要求2所述的平板电极固定结构，其特征在于，所述金属电极的材料为石墨、 钼、镀锌铝、不锈钢、铝合金或无氧铜。4.如权利要求1所述的平板电极固定结构，其特征在于，所述绝缘支撑的厚度为5 IOOOmm05.如权利要求1所述的平板电极固定结构，其特征在于，所述绝缘支撑由绝缘材料制成。6.如权利要求5所述的平板电极固定结构，其特征在于，所述绝缘材料为陶瓷、石英、 聚四氟或聚碳酸酯。7.如权利要求1所述的平板电极固定结构，其特征在于，所述上电极和下电极之间施加的射频电源频率为0 IOGHz。8.如权利要求1所述的平板电极固定结构，其特征在于，所述上电极和下电极之间的距离为2 IOOOmm09.如权利要求1所述的平板电极固定结构，其特征在于，所述上电极和下电极的面积直径为20 3000mm。全文摘要本专利技术公开了一种平板电极固定结构，属于等离子体刻蚀
所述平板电极固定结构包括绝缘支撑，绝缘支撑上设置有多个进气孔，上电极和下电极围绕进气孔均匀分布。绝缘支撑的厚度为5～1000mm。绝缘支撑由绝缘材料制成，绝缘材料为陶瓷、石英、聚四氟或聚碳酸酯。上电极和下电极之间施加的射频电源频率为0～10GHz。上电极和下电极之间的距离为2～1000mm。上电极和下电极的面积直径为20～3000mm。本专利技术的平板电极固定结构可以使等离子体启辉的均匀性分布范围更宽，尤其是边缘的均匀性效果更好；在等离子体启辉条件下，本专利技术的平板电极固定结构没有放气现象，可以保持真空腔室对真空度的要求。文档编号H01J37/32GK102290312SQ20111028792公开日2011年12月21日 申请日期2011年9月26日 优先权日2011年9月26日专利技术者夏洋, 席峰, 张庆钊, 李勇滔, 李楠 申请人:中国科学院微电子研究所本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种平板电极固定结构，包括绝缘支撑，其特征在于，所述绝缘支撑上设置有多个进气孔，上电极和下电极围绕所述进气孔均匀分布。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：席峰，李勇滔，李楠，张庆钊，夏洋，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11
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