具有馈线屏蔽装置的供电装置及其基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种具有馈线屏蔽装置的供电装置及其基板处理装置。基板处理装置包括：腔室盖子和腔室机身结合以提供反应空间的工序腔室；设置在所述工序腔室内部的源极；向所述源极供应RF电源的RF电源；连结所述源极和所述RF电源的馈线；以及包围住馈线且屏蔽馈线电场的屏蔽装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种屏蔽馈线电场为目的具有馈线屏蔽装置的供电装置及其基板处理装置。
技术介绍
通常，制造半导体元件、显示装置以及薄膜太阳能电池，需要经过在基板上沉积特定物质的薄膜沉积工序、使用感光性物质曝光或隐蔽薄膜选择区域的拍摄工序、去除所选区域的薄膜工序，进行图样的蚀刻工序等。这些工序中，薄膜电镀工序和蚀刻工序等是在优化成真空状态的基板处理装置内进行。通常来讲，薄膜电镀工序或蚀刻工序的关键是，通过等离子放电向基板均勻供应活性化或离子化的工程气体。但是，为了等离子放电采用一体型板电极或分为多数的分割电极时，由于各种因素难以维持反应空间内部等离子密度的均勻性。
技术实现思路
技术问题为了解决上述的现有技术问题，防止馈线向外部释放电场或受到外部电场的影响为目的，本专利技术旨在于提供具有屏蔽馈线装置的供电装置及其基板处理装置。所述屏蔽馈线装设置于连接RF电源和等离子源极的馈线。本专利技术的另一个目的在于提供，在馈线和屏蔽装置之间形成空间，并安装将馈线所散发的热量排放到外部的循环装置的基板处理装置。技术方案为了实现上述本专利技术的目的之一，本专利技术提供一种基板处理装置，包括腔室盖子和腔室机身结合以提供反应空间的工序腔室，设置在所述工序腔室内部的源极，向所述源极供应RF电源的RF电源，连结所述源极和所述RF电源的馈线以及包围住所述馈线且屏蔽所述馈线。所述基板处理装置，其特征在于，所述馈线和所述屏蔽装置之间形成有空间，还包括循环所述空间内空气的循环装置。所述基板处理装置，其特征在于，还包括连结所述屏蔽装置和所述腔室盖子的接地线。所述基板处理装置，其特征在于，所述源极包括结合到所述腔室盖子的多个等离子源极，并且所述多个等离子源极与RF电源并联。所述基板处理装置，其特征在于，所述馈线包括连结到所述RF电源的主馈线；从所述主馈线分支出的多个子馈线；连结到所述子馈线的多个连接线；以及连结所述多个连接线和所述多个等离子源极的多个馈杆，所述屏蔽装置包括屏蔽所述多个子馈线的第一屏蔽罩；以及屏蔽所述多个连接线和所述多个馈杆的多个第二屏蔽罩。所述基板处理装置，其特征在于，垂直于所述多个等离子源极长轴方向且经过所述主馈线的直线为准，所述多个馈杆对称地两列排列，其中，所述多个馈杆分别连接所述多个等离子源极的两端。所述基板处理装置，其特征在于，所述主馈线和所述多个连接线垂直于所述腔室盖子，所述多个子馈线平行于所述腔室盖子，还包括支撑所述多个子馈线的多个支撑装置。所述基板处理装置，其特征在于，所述第一屏蔽罩包括下方部件和上方部件，其中，所述下方部件位于所述多个子馈线的下方，所述上方部件位于所述多个子馈线的上方且与所述下方部件结合。所述基板处理装置，其特征在于，所述第一屏蔽罩包括下方部件和上方部件，其中，所述下方部件位于所述多个子馈线的下方，所述上方部件位于所述多个子馈线的上方且与所述下方部件结合。所述基板处理装置，其特征在于，所述下方部件包括所述多个子馈线所处的第一容纳部，沿着所述第一容纳部的外缘形成的第一隔板部，结合于所述第二屏蔽罩的连接部， 以及用来支撑所述多个子馈线的支撑装置所贯通的贯通孔，所述上方部件包括位于所述多个子馈线上方的平台部，以及循环孔，其中所述循环孔连接有所述馈线释放的热量排放到外部的循环装置。所述基板处理装置，其特征在于，所述第一屏蔽罩是多个部分组装而形成。所述基板处理装置，其特征在于，所述多个第二屏蔽罩分别包括导管，形成有中空且所述多个连接线分别容纳在所述中空内；通行部，由所述导管的上部一部分切割而形成；连接部，设置在所述通行部的两侧且连结到所述第一屏蔽罩；以及连通部，由所述导管的下部一部分切割而形成。为了实现上述本专利技术的目的之一，本专利技术提供一种向设置在工序腔室内部的源极供应RF电源的供电装置，包括向所述源极供应RF电源的RF电源，连结所述源极和所述RF 电源的馈线，以及包围住所述馈线且屏蔽所述馈线电场的屏蔽装置。所述供电装置，其特征在于，所述馈线和所述屏蔽装置之间形成有空间，还包括 循环所述空间内空气的循环装置。有益效果本专利技术的基板处理装置安装了包围住连接RF电源和等离子源极的馈线的屏蔽装置，可以防止馈线向外部释放电场或受到外部电场的影响。由于馈线不受外部电场的影响， 可以确保反应空间内部的等离子密度均勻性，由此可以均勻地处理基板。通过馈线向等离子电极施加RF电源时，馈线会释放热量。馈线所散发的热量积累时，会影响到施加到等离子电极的RF电力强度。因此，为了排放馈线所散发的热量，馈线和屏蔽装置之间设置循环空间，并通过循环装置将循环空间的空气排放到外部，防止馈线所散发的热量汇聚在馈线和屏蔽装置之间。附图说明图1为示出根据本专利技术一实施例的基板处理装置的截面图；图2为示出根据本专利技术一实施例的等离子源极的布局图；图3为示出根据本专利技术一实施例的供电装置详细图4为示出根据本专利技术一实施例的馈线立体图；图5为示出根据本专利技术一实施例的支撑装置截面立体图；图6为示出图示根据本专利技术一实施例的馈线和等离子源极连接的截面图；图7为示出根据本专利技术一实施例的屏蔽装置拆卸立体图；图8为示出根据本专利技术一实施例的供电装置的部分平面图；图9为示出根据本专利技术一实施例的供电装置截面立体图；图11以及图12为示出未安装屏蔽装置时，基板上电磁场的分布图以及曲线图；图13以及14为示出安装屏蔽罩时，基板上电磁场的分布图以及曲线图。具体实施例方式以下对本专利技术的优选实施例来进行说明，但是本专利技术并不限于下述的实施方式， 在不偏离本专利技术的详细说明和附图范围内，本领域普通技术人员可进行各种变化和修改， 前述的变化及修改对本领域的技术人员是显而易见的。图1为根据本专利技术一实施例的基板处理装置截面图。本专利技术的基板处理装置110包括，工序腔室112、用作源极的多个等离子源极114、 供电装置122、多个凸出部170、气体分配装置118以及基板安置装置116。基板处理装置 110还可以包括，供气管172、边缘帧(edge frame) 120、闸阀(未图示)以及排气口 124。工序腔室112通过腔室盖子11 和腔室机身112b的结合，提供反应空间。腔室盖子11 和腔室机身112b安装有0型圈(o-ring) 112c,以便维持气密性。作为源极使用的多个等离子源极114，结合在腔室盖子112a，并且源极114与工序腔室112内部对应。多个等离子源极114和腔室盖子11 之间安装有多个绝缘装置162。 多个绝缘装置162将多个等离子源极114和腔室盖子11 进行电气绝缘。通过设置多个绝缘装置162，并且利用螺钉等固定装置，结合多个等离子源极114和腔室盖子11加。基板安置装置116在工序腔室112内部，与多个等离子源极114面对面安排，并且作为等离子接地电极使用。不仅基板安置装置116可以作为等离子接地电极使用，还有多个凸出部170、腔室盖子11 以及腔室机身112b都可以作为等离子接地电极使用。基板安置装置116包括，基板支撑板116a和支承轴116b。其中，基板支撑板116a配置有基板164， 基板支撑板116a面积大于基板164，支承轴116b升降基板支撑板116a。基板支撑板116a 还可以内置，用来提高基板164温度的加热装置(heater) 166。基板处理装置110上，基板安置本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种基板处理装置，其特征在于，包括：腔室盖子和腔室机身结合以提供反应空间的工序腔室；设置在所述工序腔室内部的源极；向所述源极供应ＲＦ电源的ＲＦ电源；连结所述源极和所述ＲＦ电源的馈线；以及包围住所述馈线且屏蔽所述馈线的电场的屏蔽装置。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：都在辙，全富一，宋明坤，李政洛，
申请(专利权)人：周星工程有限公司，
类型：发明
国别省市：KR