溅射用于基于碲化镉的光伏器件的RTB薄膜的方法技术

本发明专利技术名称为溅射用于基于碲化镉的光伏器件的RTB薄膜的方法。公开了用于在衬底上沉积电阻透明缓冲薄膜层的方法。所述方法能够包括：在按照体积包括约0.01％到约5％的水蒸汽(例如，按照体积约0.05％到约1％的水蒸汽)的溅射气氛中，在衬底上冷溅射(例如，在约10℃到约100℃的溅射温度)电阻透明缓冲层。然后能够在约450℃到约700℃的退火温度退火电阻透明缓冲层。在衬底上沉积电阻透明缓冲薄膜层的方法能够用在制造镉薄膜光伏器件的方法中，其中通过在电阻透明缓冲层上形成硫化镉层并且在硫化镉层上形成碲化镉层来制造镉薄膜光伏器件。

【技术实现步骤摘要】

本文公开的主题一般地涉及电阻透明缓冲薄膜层的沉积方法。更具体的是，本文公开的主题涉及用于在碲化镉薄膜光伏器件中使用的电阻透明缓冲薄膜层的沉积方法。
技术介绍
基于碲化镉(CdTe)与硫化镉(CdS)配对作为光反应成分的薄膜光伏(PV)模块 (也称为“太阳能电池板”)在工业中正获得广泛接受和关注。CdTe是一种具有尤其适合于将太阳能转换成电能的性能的半导体材料。例如，CdTe具有约1. 45eV的能量带隙，这使得它与先前在太阳能电池应有中使用的较低带隙半导体材料(例如，对于硅约1. IeV)相比能够从太阳谱转换更多的能量。此外，与较低带隙材料相比，CdTe在较低或漫射的光条件下转换辐射能量，且因而与其它常规材料相比，在白天期间或多云条件下具有较长的有效转换时间。当CdTe PV模块暴露于光能(例如太阳光)时，η型层和ρ型层的结通常负责生成电位和电流。特别是，碲化镉(CdTe)层和硫化镉(CcK)层形成ρ-η异质结，其中CdTe层用作P型层(即正电子接受层(electron accepting layer))，并且CdS层充当η型层(即负电子施予层(electron donating 本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种用于在衬底（１２）上沉积电阻透明缓冲薄膜层（１６）的方法，所述方法包括：在按照体积包括约０．０１％到约５％的水蒸气的溅射气氛中，在约１０℃到约１００℃的溅射温度将电阻透明缓冲层（１６）溅射在衬底（１２）上；以及在约４５０℃到约７００℃的退火温度退火所述电阻透明缓冲层（１６）。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：P·L·奥基夫，
申请(专利权)人：初星太阳能公司，
类型：发明
国别省市：US