采用磁控溅射法制备碲化镉纳米线阵列的方法技术

技术编号:6981786 阅读:369 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种碲化镉纳米线阵列的制备方法,其特征在于包括:将碲化镉靶材放入磁控溅射仪的真空室(7)中的射频台(1)上;把石英基板放置于样品台(2)上;调节样品台(2)与射频台(1)的距离(d)至预定距离范围;对真空室(7)抽真空,从而使真空室(7)内的真空度达到预定值;把石英基板加热至预定温度范围,以调控碲化镉的结晶条件;向真空室(7)中充入氩气,并将氩气压强调节至预定范围,以调节溅射出来的碲化镉在到达石英基板的过程中的散射程度,从而调节沉积速率;施加射频电流,从而调控溅射出来的碲化镉的量,从而调节沉积速率;沉积预定时间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制备碲化镉(CdTe)纳米线阵列的方法,更特别地说,是指一种采用磁控溅射法在石英基板上制备出碲化镉纳米线阵列的方法。
技术介绍
红外探测技术由于符合隐身飞机自身高度隐蔽性的要求,即被动探测、不辐射电磁波,且工作波长较微波雷达短3 4个数量级,可形成高度细节的目标图像,目标分辨率高,正逐步成为新一代战斗机的主要传感器之一。随着红外探测技术朝着波段多元化、多色化、高精度、高集成度的发展趋势,发展新型红外探测技术对掌握未来战场主动权有着重要意义。目前各类探测器中光子红外探测器灵敏度高、响应快,其中最有代表性的探测器种类有长波段的HgCdTe等。其中HgCdTe材料能带宽度在红外区可调;具有高量子效率,还具有可调的载流子浓度与高电子迁移率,使其已经成为红外探测器中应用较广的材料之一。如果能将其做成纳米阵列结构,直接将单个纳米线/棒/量子点光电材料作为探测单元,以实现高度集成的扫描阵列、大幅度降低器件尺寸,增大像素点、提高分辨率,有望成为新型红外焦平面阵列探测器。CdTe作为HgCdTe最相似的材料和制备HgCdTe中最重要和常用的前驱体材料,用一种简单的方法制备均勻的Cd本文档来自技高网...

【技术保护点】
紧接一个靶材的阴极(10)之间施加射频电压/电流,并对所述射频电压/射频电流进行控制,从而调控溅射出来的碲化镉的量,从而调节沉积速率;沉积预定时间。的真空度达到预定值;把石英基板加热至预定温度范围,以调控碲化镉的结晶条件;向真空室(7)中充入氩气,并将氩气压强调节至预定范围,以调节溅射出来的碲化镉在到达石英基板的过程中的散射程度,从而调节沉积速率;在紧接在所述石英基板后的阳极(11)与1.碲化镉纳米线阵列的制备方法,其特征在于包括:将碲化镉靶材放入磁控溅射仪的真空室(7)中的射频台(1)上;把石英基板放置于样品台(2)上;调节样品台(2)与射频台(1)的距离(d)至预定距离范围;对真空室(7)...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:邓元罗炳威王瑶张志伟祝薇李茂刘晶叶慧红
申请(专利权)人:北京航空航天大学北京航亿佳鑫科技开发有限公司
类型:发明
国别省市:11

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