InAlN/GaN异质结有源区的埋层结构和激活方法技术

本发明专利技术公开了一种InAlN/GaN异质结有源区的埋层结构和激活方法，所述埋层结构包括由下至上依次排列的半绝缘衬底、InxAlN/GaN异质结、刻蚀终止层、缓冲层和半导体层。所述激活方法为用干法或湿法或干湿混合的方法刻蚀到InAlN层，然后再用碱性腐蚀液选择刻蚀InAlN，使刻蚀停止在刻蚀终止层上，实现刻蚀深度的精确控制。本发明专利技术实现了InAlN/GaNHEMT异质结器件与其他半导体器件（其组分含In、Al、Ga、N元素）的连接，将不同器件集成在一个晶圆片上。为将来实现InxAlN/GaNHEMT与其他半导体器件（半导体由In，Ga，Al，N至少两种元素以上组成）的集成提供了一条新技术路线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种InAIN/GaN异质结有源区的埋层结构和激活方法，属于半导体微电子设计制造领域。
技术介绍
IniUGa/GaN异质结器件，如InAIN/GaN HEMT，具有优异的微波性能及良好的耐高温性能，已得到了广泛研究。InAKia/GaN异质结器件伴随着技术的成熟，下一步发展方向是InMGa/GaN异质结器件与其他半导体器件的集成，这会涉及到InAIN/GaN异质结器件有源区深埋。由于极化效应在InAIN/GaN异质结处形成二维电子气，电子来源于半导体表面。 因此，在InAIN/GaN异质结器件材料结构上面生长InAlN (UID)，当厚度大于一定厚度时， InAIN/GaN异质结处形成二维电子气浓度会急剧减小，材料的方块电阻增大，形成半导体表面的电绝缘。对上述材料最上面的InAlN层进行刻蚀(含干法或湿法刻蚀)，可以使InAlN/ GaN异质结器件有源区激活，恢复InAIN/GaN异质结中二维电子气浓度。目前，存在InAIN/GaN异质结器件有源区深埋刻蚀激活工艺难题，刻蚀深度难以精确控制，刻蚀过程对InAIN/GaN异质结器件有源区的影响较大。
技术实现思路
本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种ＩｎＡｌＮ／ＧａＮ　异质结有源区的埋层结构，包括半导体层（１）、ＩｎｘＡｌＮ／ＧａＮ异质结（４）和半绝缘衬底（５），其特征在于还包括缓冲层（２）、刻蚀终止层（３）；所述ＩｎｘＡｌＮ　／ＧａＮ异质结（４）中ｘ的取值为０～１；所述半绝缘衬底（５）、ＩｎｘＡｌＮ／ＧａＮ异质结（４）、刻蚀终止层（３）、缓冲层（２）和半导体层（１）的厚度大于０？，由下至上依次排列。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邢东，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：13