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本发明公开了一种InAlN/GaN异质结有源区的埋层结构和激活方法，所述埋层结构包括由下至上依次排列的半绝缘衬底、InxAlN/GaN异质结、刻蚀终止层、缓冲层和半导体层。所述激活方法为用干法或湿法或干湿混合的方法刻蚀到InAlN层，然后再...
该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

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