一种三维结构的异质结器件的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种三维结构的异质结器件的制备方法，包括以下步骤：（１）在基体上生长取向ｎ型ＺｎＯ纳米棒阵列薄膜；（２）将ｐ型半导体从未被活化的前驱体溶液中电化学沉积在ＺｎＯ纳米棒表面，实现ｐ型半导体对ＺｎＯ纳米棒的保形覆盖；（３）对上述前驱体溶液进行活化，将ｐ型半导体自下而上充分填充到纳米棒阵列的空隙中；（４）在ｐ型半导体层的上表面溅射金属或氧化物导电层电极，制备出三维结构的异质结器件。本发明专利技术的有益效果是：该方法获得的异质结器件具有很好的整流比、高电流密度的特点。可以广泛应用于纳米电子、光电子、传感器、光催化和能量转化等领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，特别涉及一种在取向的n型 半导体纳米棒阵列中釆用电化学沉积技术填充p型半导体制备三维纳米结构的异质结 器件，属于半导体器件

技术介绍
纳米尺度的纳米棒/线、纳米管和纳米沟道的n型半导体阵列，包括ZnO、 Sn02、 Ti02和Si等，在纳米电子、光电子、传感器、光催化和能量转化等领域有着广泛的应 用前景。近年来取向纳米尺度的阵列结构的制备已获得明显的进展。它们在纳米半导 体领域的应用需要将它们与其它的材料特别是p型半导体类材料，如CuSCN、 Cu20、 Cul、 FeO和CdTe等集成在一起。另外，实现取向n型半导体纳米阵列与p型半导体 相结合可以进一步将这些纳米阵列的应用扩展到同轴异质结、阵列结构的激光器、纳 米晶太阳电池和光催化异质结领域，进而提高器件的性能和效率。然而，与流动性的 液体或有机材料相比，固体无机p型半导体材料在填充过程中由于受到与复杂几何结 构有关的阴影效应的制约往往会无法在纳米结构表面保形覆盖或很难实现其在纳米多 孔中致密化填充。因此，发展可行的在取向阵列中充分填充无机固体p型半导体的技 术用于制备三维异质结器件是未来实现纳米阵列本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三维结构的异质结器件的制备方法，其特征在于包括以下步骤：　（１）在基体上生长取向ｎ型ＺｎＯ纳米棒阵列薄膜；（２）将ｐ型半导体从未被活化的前驱体溶液中电化学沉积在ＺｎＯ纳米棒表面，实现ｐ型半导体对ＺｎＯ纳米棒的保形覆盖；（３）对上述 前驱体溶液进行活化，将ｐ型半导体自下而上充分填充到纳米棒阵列的空隙中；（４）在ｐ型半导体层的上表面溅射金属或氧化物导电层电极，制备出三维结构的异质结器件；　所述ｐ型半导体为ＣｕＳＣＮ、Ｃｕ↓［２］Ｏ或ＣｄＴｅ；所述前驱体溶液的ｐＨ值为 ５．５～１０．５。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：武卫兵，胡广达，崔守刚，
申请(专利权)人：济南大学，
类型：发明
国别省市：88[中国|济南]