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本发明涉及一种三维结构的异质结器件的制备方法，包括以下步骤：（１）在基体上生长取向ｎ型ＺｎＯ纳米棒阵列薄膜；（２）将ｐ型半导体从未被活化的前驱体溶液中电化学沉积在ＺｎＯ纳米棒表面，实现ｐ型半导体对ＺｎＯ纳米棒的保形覆盖；（３）对上述前驱体溶...
该专利属于济南大学所有，仅供学习研究参考，未经过济南大学授权不得商用。

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