独立封装的桥式磁场传感器制造技术

本发明专利技术涉及一种采用磁性隧道结的桥式磁电阻传感器。该磁强计由封装在半导体芯片内的一个半桥或几个全桥磁隧道结传感器芯片组成。之后，传感器芯片通过引线邦定法相互连接。芯片引线邦定至多种标准半导体引线框，并封装成低成本的标准半导体封装形式。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及采用磁性隧道结(MTJ，Magnetic Tunnel Junction)或巨磁阻(GMR， Giant Magnetoresitance)器件的磁场测量领域，特别涉及通过标准半导体封装技术将MTJ 或GMR器件集成到磁性传感器的方法。
技术介绍
磁性传感器广泛的用于现代测量系统，用来检测多种物理量，包括但不限于磁场强度、电流、位置、位移、方向等各种物理量。之前已有多种传感器可以用来测量磁场及其它物理量。但是，这些技术都具有各自的局限性，比如，受到尺寸过大，灵敏度低，动态范围小， 成本高，稳定性等各种因素的限制。因此，发展一种磁性传感器，尤其是能方便的与半导体器件和集成电路集成在一起，并易于制造的磁传感器仍然是一种非常迫切的需要。磁隧道结(MTJ)传感器具有灵敏度高，尺寸小，低成本，功耗低的特点。虽然MTJ器件可以很好的与标准的半导体制造工艺兼容，但没有一种低成本量产制造高灵敏度，低成本的MTJ磁传感器的有效方法。尤其是，量产时MTJ工艺和后端的封装工艺之间所存在的困难，同时，在将MTJ元件组成全桥传感器时，匹配MTJ传感器的磁电阻响应被证明存在很大困难。
技术实现思路
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【技术保护点】
１．一种独立封装的桥式磁场传感器，其特征是：该传感器包括一对或多对ＭＴＪ或ＧＭＲ磁电阻传感器芯片，该传感器芯片被固定在标准半导体封装的引线框上，每个传感器芯片包括一阻值固定的参考电阻和一响应于外磁场改变阻值的感应电阻；每个参考电阻和感应电阻包括多个ＭＴＪ或ＧＭＲ传感器元件，这些ＭＴＪ或ＧＭＲ传感器元件作为单独的磁电阻元件以阵列的形式相互连接，每个参考电阻和感应电阻还包括条形永磁铁，在各列磁电阻元件中间为磁电阻元件提供偏置场；感应电阻的电阻值与外磁场在磁电阻传输曲线的一段范围内呈线性的关系；传感器芯片的引线焊盘设置为使磁电阻元件的每个引脚可以连接多条接合线；磁电阻传感器芯片相互之间以及与引线框之...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：詹姆斯·G·迪克，沈卫锋，王建国，张小军，雷啸锋，金英西，薛松生，
申请(专利权)人：江苏多维科技有限公司，
类型：发明
国别省市：32