【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，属于测量装置
技术介绍
巨磁阻(GMR)自旋阀磁敏传感器，可广泛应用于位移测量、速度测量、精密机械精确定位、石油勘探系统、电力控制、汽车ABS系统、速度控制和导航中的自动传感、导弹导航、医疗器械等
相对于传统磁敏传感器如霍耳器件、AMR器件等，GMR自旋阀磁敏传感器在尺寸、灵敏度、能耗和稳定性等方面都有诸多优势。现有技术中通常采用惠斯通电桥结构实现GMR自旋阀磁敏传感器的设计。如图1 所示，惠斯通电桥结构由四个等同的GMR磁敏电阻连接组成。惠斯通电桥式GMR磁敏传感器实现信号输出的方法有两种第一种方法是将四个等同的磁敏电阻连接成惠斯通电桥， 通过将其中的两个磁敏电阻进行磁场屏蔽，在外场下使电桥失去平衡而得到电桥输出。该种方法已在美国专利US 5569544与US 7639005中得到应用。如图2所示，可通过现代集成器件工艺将四个GMR磁敏电阻连接成惠斯通电桥，并用磁屏蔽层(图中阴影部分)屏蔽其中两个磁敏电阻0 2、R4)。这样在外磁场作用下，有磁屏蔽的两个电阻不受影响，没有磁屏蔽的两个电阻(RpR3)的阻值发生变化，使电桥输...
【技术保护点】
１．巨磁阻自旋阀磁敏传感器，包括由四个磁敏电阻组成的惠斯通电桥，其特征在于组成惠斯通电桥的四个磁敏电阻由两种不同的自旋阀材料制成，其中两个磁敏电阻由普通的自旋阀材料制成，而另外两个磁敏电阻由具有合成反铁磁被钉扎层的自旋阀材料制成，这两对磁敏电阻组成的惠斯通电桥的差分输出信号在外场下形成推－拉输出。
【技术特征摘要】
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