大直径单晶炉勾型电磁场装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及硅单晶材料加工设备，旨在提供一种大直径单晶炉勾型电磁场装置。该装置包括用于产生勾型电磁场的直流线圈，还包括至少两个充满冷却油的环状密闭容腔，且上下叠加呈中空的圆筒状；每个密闭容腔均由位于外侧的半包围式的屏蔽体、位于内侧的内筒和两块厄板以焊接形式相互连接形成，且通过管路与油泵、油冷却器共同组成强制油冷却系统；密闭容腔中分别设置一组以实心铜管绕制成的直流线圈。本实用新型专利技术由于采用了上下两个线圈平行布置方式，产生的磁力线分布为轴对称，同时磁场强度连续可调，晶棒的轴向径向均匀性得到保证，单晶氧含量控制效果要好。采用二分式结构使用时通过螺栓联接起来，运输、拆卸、安装和调试都更简单、方便。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及硅单晶材料加工设备，具体涉及一种大直径单晶炉配套的勾型电磁场装置。
技术介绍
硅单晶材料是最重要的半导体材料，是信息社会的物质基础。受集成电路快速发展的促使和利润因素的刺激，硅单晶材料的科学研究必将向着高纯度、高完整性、高均勻性和大直径的方向发展。而在直拉法生产单晶中，由于温度梯度、重力、坩埚晶棒自转等，坩埚内熔体存在着复杂的对流，在大直径单晶炉中这种对流更加剧烈。这些热对流将导致结晶时单晶棒在轴向和径向的不均勻，导致单晶棒电阻率不均勻甚至出现缺陷，同时也会造成单晶棒氧含量高，满足不了要求。在晶体生长过程中加入磁场可以有效的抑制热对流。目前，在大直径单晶炉中使用的是一种较先进的非均勻磁场——勾型磁场(CUSP磁场)。该磁场磁力线分布为轴对称，晶棒的轴向径向均勻性得到保证；在拉晶面上纵向磁场基本为零，不会影响氧的蒸发；在坩埚壁上磁场基本与之垂直，可以减少坩埚的溶解；在其他大部分区域有着较强的轴向和径向磁场，能够有效的抑制热对流。相比传统的不加磁场或者加单一横向、纵向磁场的单晶炉相比，这种单晶在氧含量、均勻性和完整性等性能上都得到了很大的提高。目前的大直径单晶炉中使用的勾型磁本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．大直径单晶炉勾型电磁场装置，包括用于产生勾型电磁场的直流线圈，其特征在于，该装置包括至少两个充满冷却油的环状密闭容腔，且上下叠加呈中空的圆筒状；每个密闭容腔均由位于外侧的半包围式的屏蔽体、位于内侧的内筒和两块厄板以焊接形式相互连接形成，且通过管路与油泵、油冷却器共同组成强制油冷却系统；所述密闭容腔中分别设置一组以实心铜管绕制成的直流线圈。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曹建伟，傅林坚，石刚，叶欣，邱敏秀，
申请(专利权)人：杭州慧翔电液技术开发有限公司，浙江晶盛机电股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：86