化学机械抛光浆液环路系统技术方案

本实用新型专利技术提供了一种清洗化学机械抛光浆液环路系统，该系统包括氮气输入口(N)、去离子水输入口(D)、化学机械抛光浆液输入口(S)、与所述化学机械抛光浆液输入口(S)连接而用于输送化学机械抛光浆液的浆液主管路(101)、与所述氮气输入口(N)和去离子水输入口(D)连接而用于输送去离子水和氮气的至少一个清洗用流体主管路(205)、设置在化学机械抛光浆液输入口(S)的至少一个阀门(Vs)和设置在所述氮气输入口(N)和所述去离子水输入口(D)的至少一个阀门。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种化学机械抛光浆液环路系统。
技术介绍
随着集成电路制造工艺的发展，对于半导体器件的集成密度的要求日益增高。随 着上个世纪70年代将多层金属化技术引入到集成电路制造工艺中，使得半导体晶片的垂 直空间得到有效的利用，并显著提高了器件的集成度。但多层金属化引起的一个新的问题 是硅片表面的不平整度加剧，硅片表面的不平整会在后续的光刻步骤中引起例如光刻胶厚 度不均等问题，进而导致光刻受限，严重影响了半导体器件尺寸微细化的发展。针对这一问 题，需要对金属化后的半导体晶片表面进行平坦化，目前已经开发出多种平坦化技术，主要 包括反刻、玻璃回流、旋涂膜层、化学机械抛光(CMP)等。在目前的集成电路制造工艺中，CMP技术是最常用的一种全面平坦化技术。CMP技 术需要使用具有研磨性和腐蚀性的抛光浆液，并配合使用抛光垫和支撑环，通过综合利用 化学作用和机械作用，对半导体晶片进行抛光。抛光浆液可以是酸性或碱性浆液，其中包含 化学试剂(例如氢氧化钾)、研磨颗粒(例如胶体二氧化硅颗粒)、溶剂以及其他添加剂。通 常，此类浆液在使用后除了含有未反应的原料以外，还会夹杂一些反应物和研磨下来的小 颗粒，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学机械抛光浆液环路系统，其特征在于，该系统包括氮气输入口（Ｎ）、去离子水输入口（Ｄ）、化学机械抛光浆液输入口（Ｓ）、与所述化学机械抛光浆液输入口（Ｓ）连接而用于输送化学机械抛光浆液的浆液主管路（１０１）、与所述氮气输入口（Ｎ）和去离子水输入口（Ｄ）连接而用于输送去离子水和氮气的至少一个清洗用流体主管路（２０５）、设置在化学机械抛光浆液输入口（Ｓ）的至少一个阀门（Ｖｓ）和设置在所述氮气输入口（Ｎ）和所述去离子水输入口（Ｄ）的至少一个阀门。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：祝仲凯，桂辉辉，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31