平坦化的银纳米线透明导电薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种平坦化的银纳米线透明导电薄膜及其制备方法。其特点是在基板上布设的银纳米线导电层之上覆盖平坦化层导电聚合物，银纳米线导电层实现导电功能，而平坦化层聚合物填充银纳米线导电层中的空洞，减小表面粗糙度并提高银纳米线与基片结合的牢固性。例如，采用聚(3，4-二氧乙基噻吩)/聚对苯乙烯磺酸平坦化层使PET基片上银纳米线透明导电薄膜的表面粗糙度从未覆盖时的67nm降低到了25nm，在方阻为158时可见光透过率达77％，而且附着力良好。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种透明导电薄膜，包括基板、银纳米线导电层和平坦化层，其特征在于：在所述银纳米线导电层上布设平坦化层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曾小燕，卢灿忠，
申请(专利权)人：中国科学院福建物质结构研究所，
类型：发明
国别省市：35