【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及多晶硅太阳电池的制备技术，具体是。
技术介绍
太阳能电池发展的主要趋势是高转换效率和低成本。为了提高电池的转换效率， 降低表面的光反射，增加光的有效吸收是十分必要的。采用减反射膜以降低电池表面对阳光的反射损失，即是一种提高转化率和降低成本的方法。目前企业生产的减反射膜一般只采用一层膜，减反射膜的材料一般为SiNx，常用制备方法为化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)，其主要原理是利用各种材料在气相间、气相和固体基础表面间所产生的物理、化学过程而沉积薄膜；等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是利用辉光放电的作用产生电子，而这些电子经过与反应气体分子的碰撞而形成等离子体，通过一定的温度、压强等在样品表面经过复杂的物理化学反应而形成固体薄膜。PECVD制备单层减反射膜已经得到了企业的产业化应用。虽然单层膜的制作技术比较成熟，实现了产业化，但是其总体反射率偏高，单晶硅材质反射率平均为10%，多晶硅材质电池反射率平均为20%左右(抛光硅表面的反射率高达35%左右)，不利于提高太阳能的转化率，减少反射损失和降低成本。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本...
【技术保护点】
１．一种多晶硅太阳电池的减反射膜膜系，其特征在于该膜系为双层膜结构，一层膜为热氧化法生长或制备的ＳｉＯ２膜，另一层膜为在ＳｉＯ２膜上沉积制备的ＳｉＮｘ膜；所述ＳｉＯ２膜的膜层厚度为１０－５０ｎｍ；所述ＳｉＮｘ膜的膜层厚度为６０－１００ｎｍ，折射率为１．８－２．６。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张昆，刘彩池，郝秋艳，解新建，
申请(专利权)人：河北工业大学，
类型：发明
国别省市：12
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