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本发明公开一种多晶硅太阳电池的减反射膜膜系及制备方法。该减反射膜膜系的特征在于该膜系为双层膜结构，一层膜为热氧化法生长或制备的SiO2膜，另一层膜为在SiO2膜上沉积制备的SiNx膜；所述SiO2膜的膜层厚度为10-50nm；所述SiNx膜...
该专利属于河北工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过河北工业大学授权不得商用。

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