去除固体硅中硼杂质的方法技术

本发明专利技术公开了一种去除固体硅中硼杂质的方法，步骤一、将含有硼杂质的固体硅粉碎形成硅粉；步骤二、将硅粉放入一加热炉中并进行氧化，在硅粉颗粒的表面形成二氧化硅层，利用高温以及形成的硅和二氧化硅固体界面促使硅粉颗粒中靠近表面的硼向二氧化硅中转移、硅粉颗粒中间的硼向表面边缘扩散；步骤三、氧化的同时还对硅粉颗粒进行吹氧，促使二氧化硅中的硼氧化并逸出，并随氧气氛被排出加热炉腔；步骤四、降温取出硅粉，用氢氟酸去除硅粉颗粒表面形成的二氧化硅层。本发明专利技术能以很低的成本去除硅中的硼元素，从而降低硅中的硼浓度，且能够使硼浓度很容易从工艺上得到控制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能多晶硅提纯技术，特别是涉及一种。
技术介绍
太阳能光伏电池需要纯度大约为6N的多晶硅，同时需要在硅中含有一定数量的硼元素作为掺杂剂，以提供足够的光生载流子。通常，硼的含量应当在0. Ippm 0. 3ppm的范围内。现有的多晶硅是先采用西门子法工艺将多晶硅的纯度提纯到9N，然后，再在铸锭或拉单晶时，将硼掺入硅中。由于西门子法生产多晶硅耗能较大，成本较高，因此，采用冶金法直接将硅的纯度从冶金级的2N纯度提纯到太阳能光伏电池所需要的6N的纯度的工艺为人们所重视并研究。在冶金法工艺中，最难以去除的杂质之一就是硼元素。往往在除到Ippm后，很难再继续去除。现有的去除硅中硼杂质的方法有采取炉外精炼的造渣方式除硼，或者采用等离子体除硼，或者采用湿法酸洗的方式除硼，但当硼的浓度低于Ippm的时候，上述方法的效果都不明显，而且，提纯的成本也偏高。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种，能够以很低的成本去除硅中的硼元素，从而降低硅中的硼浓度，且能够使硼浓度很容易从工艺上得到控制。为解决上述技术问题，本专利技术提供的，包括步骤步骤一、将含有硼杂质的固体硅粉碎形成硅粉。所本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种去除固体硅中硼杂质的方法，其特征在于，包括步骤：步骤一、将含有硼杂质的固体硅粉碎形成硅粉；步骤二、将所述硅粉放入一加热炉中并进行氧化，在所述硅粉颗粒的表面形成二氧化硅层，所述氧化的工艺条件为氧气氛以及６００℃～１４００℃的高温，利用高温以及形成的硅和二氧化硅固体界面促使所述硅粉颗粒中靠近表面的硼向二氧化硅中转移、所述硅粉颗粒中间的硼向表面边缘扩散；步骤三、进行所述氧化的同时还对所述硅粉颗粒进行吹氧，利用高温以及吹氧促使二氧化硅中的硼与所述氧气氛中的氧气反应，并逸出二氧化硅表面，并随所述氧气氛被排出所述加热炉腔；步骤四、降温取出所述硅粉，用氢氟酸去除所述硅粉颗粒的表面形成二氧化硅层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：史珺，佟晨，宗卫峰，水川，
申请(专利权)人：上海普罗新能源有限公司，
类型：发明
国别省市：31