薄膜晶体管、薄膜晶体管制造方法和电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了薄膜晶体管制造方法、薄膜晶体管和电子装置。所述制造方法包括如下步骤：在基板上形成栅极电极；在所述栅极电极上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成有机半导体层；利用激光烧蚀方法选择性地除去所述有机半导体层的一部分，形成有机半导体图形；以及在所述有机半导体图形上形成源极电极和漏极电极。所述薄膜晶体管包括：基板；形成在所述基板上的栅极电极；形成在所述栅极电极上的栅极绝缘层；利用激光烧蚀方法在所述栅极绝缘层上形成的有机半导体图形；以及形成在所述有机半导体图形上的源极电极和漏极电极。本发明专利技术能够容易且稳定地制造出低电阻的顶接触型薄膜晶体管，能够实现薄膜晶体管的高性能化和易制造化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有有机半导体图形的薄膜晶体管、该薄膜晶体管的制造方法以及使用该薄膜晶体管的电子装置。
技术介绍
近年来，包括由有机半导体材料制成的沟道层的薄膜晶体管(下文称作“TFT”)， 即有机薄膜晶体管已经引起了关注。可通过涂敷或印刷方法来形成包括沟道层在内的全部层，从而能够实现低成本制造过程。另外，由于该沟道层可在比例如蒸发方法等方法更低的温度下形成，由此可将有机TFT安装在具有柔性和低耐热性的塑料膜上。如同包括由无机半导体材料制成的沟道层的无机TFT —样，已经对有机TFT作为诸如显示装置等电子装置的切换元件的用途进行了研究。有机TFT包括用于形成沟道层的有机半导体图形；以及与该有机半导体图形连接的源极电极和漏极电极。当制造有机TFT时，为了减小断态电流(OFF state current)，希望有这样的工序步骤在该工序步骤中，形成有机半导体层，然后选择性地除去(图形化)该有机半导体层以形成有机半导体图形。通常将该工序称作元件隔离。在有机TFT的制造工序中，与无机 TFT的制造工序不同的是，有机半导体图形易于溶解在有机溶剂中，这样就难以通过使用有机溶剂的光刻方法进行上述元件本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种薄膜晶体管制造方法，所述方法包括如下步骤：在基板上形成栅极电极；在所述栅极电极上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成有机半导体层；利用激光烧蚀方法选择性地除去所述有机半导体层的一部分，形成有机半导体图形；以及在所述有机半导体图形上形成源极电极和漏极电极。

【技术特征摘要】
2010.05.26 JP 2010-1201761.一种薄膜晶体管制造方法，所述方法包括如下步骤 在基板上形成栅极电极；在所述栅极电极上形成栅极绝缘层； 在所述栅极绝缘层上形成有机半导体层；利用激光烧蚀方法选择性地除去所述有机半导体层的一部分，形成有机半导体图形；以及在所述有机半导体图形上形成源极电极和漏极电极。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管制造方法，其中，在形成所述有机半导体图形时，使所述有机半导体图形的宽度随着所述有机半导体图形越来越靠近所述栅极绝缘层而增大。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管制造方法，其中，在形成所述有机半导体图形时，使用所述有机半导体图形作为掩模，利用激光烧蚀方法将所述栅极绝缘层选择性地向下挖直至达到所述栅极绝缘层的某一深度。4.如权利要求1至3任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：川岛纪之，村瀬英寿，胜原真央，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：JP