【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及ZnO纳米材料及其制备方法，尤其涉及。
技术介绍
目前，人们已经制备出各种形貌的ZnO纳米材料，包括纳米线、纳米棒、纳米梳、纳米带、纳米阵列等。与薄膜材料相比，ZnO纳米材料具有单晶特性，电子迁移率更高，而且纳米材料具有大的比表面积，在光电器件、气敏器件上具有巨大的应用潜力。目前，人们利用 ZnO纳米棒及其阵列已经制备出发光二极管、紫外探测器等光电器件。SiO纳米器件的制备可以以单根纳米线做器件，也可以以整个纳米阵列做器件。目前利用ZnO纳米阵列制备器件的方法是在衬底上先生长ZnO纳米阵列，再用绝缘物质填充纳米阵列的空隙，之后再在上面制作电极，这种方法不仅操作复杂，而且良品率低。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术的不足，提供。本专利技术的“工”字型ZnO纳米阵列，由垂直于衬底有序排列的纳米棒阵列，其底端和顶端互相连接，形成中间具有空隙的薄膜结构。“工”字型ZnO纳米阵列的制备方法，包括以下步骤将一端开口的石英管置于石英舟中，并将石英舟放置在管式炉内，以纯锌粉为源材料，将源材料放入石英管中，距石英管口 0. 8 1. 2cm处；将衬底置于石英...
【技术保护点】
１．一种“工”字型ＺｎＯ纳米阵列，其特征在于所述的“工”字型ＺｎＯ纳米阵列由垂直于衬底有序排列的纳米棒阵列，其底端和顶端互相连接，形成中间具有空隙的薄膜结构。
【技术特征摘要】
1.一种“工”字型ZnO纳米阵列，其特征在于所述的“工”字型ZnO纳米阵列由垂直于衬底有序排列的纳米棒阵列，其底端和顶端互相连接，形成中间具有空隙的薄膜结构。2.按权利要求1所述的“工”字型SiO纳米阵列，其特征在于所述的衬底为硅、蓝宝石、 石英、玻璃、氮化镓或氧化锌。3.权利要求1所述的“工”字型ZnO纳米阵列的制备方法，其特征在于包括以下步骤 将一端开口的石英管置于石英舟中，并将石英舟放置在管式炉内，以纯锌粉为源材料，...
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