一种电子元件提供位于电介质基体(262)之上或之中、处于一对电导体(260A、260B)之间并与其接触的陶瓷元件(264)，其中陶瓷元件包括一种或多种金属氧化物，其在整个所述陶瓷元件中的金属氧化物组分均匀度的波动小于或等于1.5mol％。一种制造电子元件的方法，提供以下步骤：在基体上的一对导电体之间形成陶瓷元件并与该对导电体接触，包括沉积金属有机先导物的混合物并使金属氧化物先导物同时沉积，以形成包括一种或多种金属氧化物的陶瓷元件。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术总体上涉及嵌入式电子元件的构建，具体说，涉及用于信号处理的元件。相关申请申请人:要求2005年6月30日提交的申请号为60/695，485，名称为“扩展频谱接收器及制造方法(SPREAD SPECTRUM RECIEVER AND MEHTOD OF MANUFACTURE) ”的美国临时专利申请的优先权，其内容引用于此作为参考。
技术介绍
传统的数字通信利用信号脉冲的强度编码二进位信息，其利用全振幅或高振幅脉冲将1位(Ibit)信息和低振幅或无振幅脉冲转换成0位(Obit)数据，反之亦然。无线通信在有限带宽的限制下和多源信号干扰下运行，该信号干扰可以导致利用简单数字编码的数据流中的高比特误差率水平。已开发出扩展频谱信令协议以提供有意义的数据速率和更高的信号强度的方式用于解决这些问题。这些协议利用相位偏移键控(phase shift keying, PSK)或正交振幅调制(quadrature amplitude modulation)技术将传输脉冲整形为一种符号，该符号将一系列连续数据位编码成信号脉冲。图IA利用相图说明具有恒定振幅101和调制移相103的信号如何生成四个不同的相态105A、105B、105C、105D，这些相态用于对四个不同的两位数据组合[1，1]、、[1，0]、标记符号。图IB说明如何利用含有16 个不同振幅和相态 107 的信号群(signal constellation) :[1，1，1，1]、[1,1,1,0], [1,1, 0，1]、[1，0，1，1]、> [1，0，0，1]、[1,0,0,0], 、, , [1,0,0,1] > >[1,0,0,0], >和编码每个四(4)位的符号。这些符号调制技术通过信号滚降参数(signal roll-off parameter) α影响脉冲的形状，该信号滚降参数可以取α <0范围的值。如图2A、2B、2C所示，当在时域中观察脉冲109A、109B、109C时，用于表示不同符号的不同滚降参数会显著调制信号载波。时域信号调制主要影响脉冲的前部和曳尾111A、111A'、111B、111B'、111C、111C。图3A、3B、3C 说明变化的滚降参数如何在频域中影响脉冲113A、li;3B、113C。T用于定义符号时长，W为奈奎斯特率(Nyquist rate)，在图2、3中W = 1/2T。这种调制形式使得脉冲的功率谱密度 (power spectral density)随着滚降参数的增加扩展到更大的频率。因此，在频域中通过分析符号更有效地实现信号检测。传统的接收器使用传感器记录脉冲的时域记号并将处理器功能用于执行数学计算脉冲功率谱密度的快速傅里叶逆变换(inverse Fast Fourier Transform, IFFF)或快速傅里叶离散逆变换(inverse Discrete Fast Fourier Transform)。使用数学方法对符号的功率谱密度进行去卷积增加接收器元件成本，从所有可利用的功率预算中消耗额外功率，并在移动无线平台上包装时占用宝贵的实际空间。在基于正交频分多路复用(orthogonal frequency division multiplexing, OFDM)的无线通信系统中尤其如此。OFDM技术，包括但不限于WiMAX，为开发的用以可靠地提高数据速率的多载波调制方法。通过缩短符号时长提高单一载波的数据速率通常更易受影响而增加比特误差率。OFDM法利用多个在低数据速率下运行的载波(通常称为“副载波 (sub-carriers)，，)。这就使得所有副载波的复合数据在组合速率下通信，该组合速率与使用相同的基本调制具有相同频道带宽的单一载波的数据速率相比，具有更高的数据速率。 采用更长符号持续时间的主要优点在于误差率的净减少，其通过减少的来自内部符号干扰对误差的易感性实现，其中内部符号干扰由多路时间散布导致。此外，当频率选择性衰减 (frequency-selective fading)仅分布到少数副载波并且多数副载波的衰减深度不足以大到生成明显比特误差时，内部符号干扰就不是问题。图4A、4B表示多个副载波115如何生成具有矩形形状的各副载波的复合功率谱，其大部分调制数据包含在前/尾侧带117A、 17A'的功率谱密度中。然而，更多的副载波还增加所需的IFFF/IDFFF计算处理能力，以通译副载波复合，该处理能力在移动平台上受到限制。无源电阻器、电容器和感应器元件，统称为无源元件(passive component)，用于形成包含这些装置的过滤级。目前，大多数无源元件组装在印刷电路板表面上，通常包含在全装配电路板中使用的所有元件的80%，并且占电路板主要表面的实际空间的50%。小波形因数是移动无线系统的总体要求。因此，需要通过将无源元件从电路板表面转移到一个或更多内层减少电路焊垫(footprint)的方法。这种实践，更普遍地公知为嵌入无源技术(embedded passive technology)，在大规模高速电路，例如服务器和无线电通信开关中也是有用的，其需要大量的电终止传输线。尽管嵌入无源技术已经从二十世纪八十年代早期已经开始发展，但是几乎没有成功达到理想性能公差的方法。无源元件嵌入电路板中之后不能重做(调换)公差范围之外的无源元件，这就需要这些元件的目标性能的公差为士 1%，因为单个元件的失败会导致失去整个电路板的价值。此外，嵌入的无源元件需要在所有预期的工作温度下保持其目标性能公差，以便于设计并确保电路的可靠性。工作温度典型范围从-40°C到+125°C。大多嵌入无源技术的公知技术依赖于包含具有相同介电性能材料的层的薄膜技术。已经证实电阻性金属薄膜具有获得热稳定性能的最好能力，其公差在士以内。如图5A、5B所示，嵌入电阻器119典型地包含两个金属板，金属板含有导电层121 及装配到各电介质层124、125上的电阻性金属层123。各金属层被图样化，以在导电金属层121中生成导电体127，在电阻性金属层123中生成电阻器件129、130。这就导致在两个层压板如图5B所示对齐并接触时，电阻器件129、130的位置处于导电体127之间的缝隙 131、132之上。电阻器件129、130的电阻由导电体127之间缝隙131、132的间隔以及电阻性金属层123的薄片电阻率和厚度控制。元素阻抗(elemental resistance)由缝隙131、 132的间隔确定，因为层压电阻性金属板具有相同的厚度和电阻率。通常，薄膜金属电阻器件129、130的尺寸控制将达到士5%的公差，激光修调(laser trimming)用于将性能公差带入士的目标值以内。电阻性薄膜包含具有低电阻热导系数(thermal coefficients of resistance, TCR)的镍(Ni)或钼(Pt)，其在工作温度下提供士公差以内的热稳定性。薄膜电阻器件129、130主要的可靠性问题包括，导致金属薄片形成的与金属电极127和/或形成电介质层125的材料的相互作用，以及热膨胀系数的不匹配，其可能导致薄膜电阻器件1四、130和封装电介质125之间的分层。薄膜技术也用于制造嵌入式本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种天线，其包含：具有最大尺寸Ｄ的折叠式天线元件；以及超材料电介质体，其将所述折叠式天线嵌入距所述超材料电介质体外表面一段距离Ｓ；其中所述超材料电介质体包含相对介电常数εＲ≤１０的电介质主体和一个或多个相对介电常数εＲ＞１０的电介质包合物；所述距离Ｓ大于折叠式天线感应近场区突出的长度ｄ，其中所述感应近场区突出的长度ｄ以下式定义：ｄ＝０．６２√（Ｄ３／λ），其中λ为所述折叠式天线元件发射或接收的电磁激发波长。
【技术特征摘要】
2005.06.30 US 60/695,4851.一种天线，其包含具有最大尺寸D的折叠式天线元件；以及超材料电介质体，其将所述折叠式天线嵌入距所述超材料电介质体外表面一段距离S ；其中所述超材料电介质体包含相对介电常数ε κ < 10的电介质主体和一个或多个相对介电常数ε κ > 10的电介质包合物；所述距离S大于折叠式天线感应近场区突出的长度d，其中所述感应近场区突出的长度d以下式定义d = 0.62 V φ3/λ)，其中λ为所述折叠式天线元件发射或接收的电磁激发波长。2.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，电介质主体为有机电介质。3.根据权利要求2所述的天线，其特征在于，所述有机电介质包括FR4、RogersDuroid 或PFTE Teflon电介质。4.根据权利要求2所述的天线，其特征在于，所述有机电介质主体具有损耗角正切 tan δ 彡 10_3...
【专利技术属性】
技术研发人员：L皮尔·德罗什蒙，
申请(专利权)人：L皮尔·德罗什蒙，
类型：发明
国别省市：US
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