一种大面积制备氧化锌纳米棒阵列的方法技术

本发明专利技术属于氧化锌纳米棒阵列制备技术领域，具体的说是一种大面积制备取向良好且致密度较高的氧化锌纳米棒阵列的方法，包括配置溶胶、清洗基片、浸渍-提拉镀膜和结晶热处理四个步骤，采用溶胶凝胶法，在无催化剂无模板的条件下直接在基片上大面积制备取向良好且致密度较高的氧化锌纳米棒阵列，该方法大大降低了实际生产成本，提高了工艺的可重复性。本发明专利技术可以解决目前生产氧化锌纳米棒阵列成本高，需借助催化剂和模板或气相氧化锌过渡层辅助生长，生产重复性差等问题。本发明专利技术通过一种简单的方法，直接在衬底上大面积生长出阵列整齐，结构均匀，致密度较高的氧化锌纳米棒阵列，通过调节浸渍-提拉速度有效控制阵列氧化锌纳米棒的长径比。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于氧化锌纳米棒阵列制备
，具体的说是一种大面积制备取向良好且致密度较高的氧化锌纳米棒阵列的方法。
技术介绍
氧化锌是直接跃迁，宽禁带半导体材料( = 3. 37eV)，在室温下具有较高的激子束缚能(60meV)，可见光范围内透明，适当掺杂的氧化锌其电学性能可观，同时氧化锌还具备无毒，稳定性好，成本低等优点，可用于透明导电膜、气体传感器、场效应晶体管、紫外探测器等。一维半导体氧化锌材料由于其独特的物理特性及其在光电器件方面的巨大潜力，备受人们的关注。2001年，杨培东小组(M. H. Huang, S. Mao, H. Feich, H. Yan, Y. ffu, H. Kind, Ε. Weber, R. Russo, P. Yang (2001). " Room-Temperature Ultraviolet Nanowire Nanolasers" Science 292(5523) :1897-1899)成功观测到室温下规则的氧化锌纳米线阵列的光致紫外激光发射现象，其激发阈值小于相应体材料和薄膜材料，极大的鼓舞了人们对制备高度有序氧化锌纳米棒阵列的研究热情本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种大面积制备氧化锌纳米棒阵列的方法，其特征在于，该方法具体步骤如下：（１）配置溶胶将二水乙酸锌与等摩尔比的单乙醇胺溶于乙二醇甲醚中，在４５－７５℃条件下均匀搅拌２０－３０ｍｉｎ，再将六水氯化铝溶于此溶液中，继续搅拌１０－３０ｍｉｎ，得到澄清淡黄色的溶胶，将其静止放置，密封保存；其中，二水乙酸锌在乙二醇甲醚中的浓度控制在０．７５－３ｍｏｌ／Ｌ范围内，二水乙酸锌与六水氯化铝的摩尔比为９０－９６∶１０－４；（２）清洗基片将基片依次放入丙酮－蒸馏水－无水乙醇－蒸馏水中分别超声清洗１０－２０ｍｉｎ，去除基片表面粘附的杂质，清洗完毕后冷风吹干，立即放入干净容器内保存；（３）浸渍－提拉镀膜将清洗后的基...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙超，黄楠，朱明伟，宫骏，裴志亮，华伟刚，肖金泉，
申请(专利权)人：中国科学院金属研究所，
类型：发明
国别省市：89