【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体光电子器件与
，更具体地涉及一种用于半导体晶片键合的键合结构。
技术介绍
晶片键合技术是广泛应用于半导体行业的一项前沿技术，由于其突破了晶片外延对生长衬底晶格常数、晶向等特性的严格限制，可以更充分的发挥器件结构设计技术人员的创造性，得到广泛的关注和研究。目前的晶片键合技术主要有直接键合、阳极键合、介质键合等，其中介质键合又有金属介质熔融键合和非金属粘结键合，金属介质熔融键合技术由于金属介质良好的导电性、光反射性、导热性等得到更多的应用。如在发光二极管中，由于金属介质的导电性，可利用金属熔融键合来制作垂直结构氮化镓基蓝光二极管，同时由于金属介质良好的反光特性，可提高发光二极管出光效率；在红光二极管中，通过金属熔融键合将外延层键合至支撑衬底，去除原有的吸光的砷化镓衬底，可数倍提高出光效率；而在化合物多结太阳电池中，利用金属介质熔融键合技术，可制作倒装多结太阳能电池，从而可更合理地设计化合物多结太阳电池各子电池带隙匹配、电流匹配，提高太阳电池光电转换效率。但在实际应用中，金属介质熔融键合技术存在很多问题，如键合质量问题、应力问题、键合层对半导...
【技术保护点】
１．一种用于半导体晶片键合的键合结构，其包括：一接触层，用于覆盖在待键合的半导体晶片表面上；一第一阻挡层，覆盖在接触层表面上，设有一第一绝缘区域和一第一导通区域；一导电层，覆盖在第一阻挡层表面上；一覆盖于所述导电层的第二阻挡层，设有一第二绝缘区域和一第二导通区域，第二导通区域的位置与所述第一导通区域的位置相互错开；键合层，覆盖于所述第二阻挡层表面上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：熊伟平，林桂江，宋明辉，吴志敏，梁兆煊，林志东，
申请(专利权)人：厦门市三安光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：92
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