晶粒结构及晶粒接合方法技术

本发明专利技术提供一种晶粒结构及一种晶粒接合方法。晶粒结构包含晶粒以及凸块结构。凸块结构包含导电本体以及焊料层。导电本体设置于晶粒上。焊料层设置于导电本体上。晶粒接合方法，包含步骤如下：提供晶粒结构；提供电路基板；以及将晶粒结构的焊料层与电路基板的锡层一起热焊于电路基板的铜块表面。在不同实施例中，电路基板可省略设置锡层，而将焊料层直接热焊于铜块表面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种晶粒结构及一种晶粒接合方法。具体而言，本专利技术是关于一种可与电路基板电连接的晶粒结构，以及使用此晶粒结构的晶粒接合方法。
技术介绍
在晶片封装技术中，覆晶接合技术(Flip Chip Interconnect Technology,FC)已被广泛地使用。所谓的覆晶接合技术乃是利用面阵列(area array)的方式，将多个晶片垫 (die pad)配置于晶粒(die)的主动表面(active surface)上，并在晶片垫上形成如图IA 所示的凸块结构(bump) 80，接着将晶粒20翻覆(flip)之后，使晶粒20上的凸块结构80与如图IB所示的电路基板60上的电路70透过一导电材料11相互连接。如此，晶粒20即可如图IC经由凸块结构80电性连接至电路基板60，并经由电路基板60而电性连接至外界的电子装置。然而，已知凸块结构80由铜块10及覆盖于上的黄金层40所构成。因为黄金的价格高昂，所以凸块结构80的制作成本不易降低。另一方面，为了将凸块结构80电性连接至电路基板60，导电材料11上必须覆盖锡层33，供与黄金层40热焊接合。由于导电材料11 上覆盖的锡层本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种晶粒结构，可与一电路基板电连接，包含：一晶粒；以及一凸块结构，包含：一导电本体，设置于该晶粒上；以及一焊料层，设置于该导电本体上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐嘉宏，林青山，陈进勇，
申请(专利权)人：瑞鼎科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71