【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体发光组件，特别涉及一种发光二极管的封装结构及其制造方法。
技术介绍
作为一种新兴的光源，发光二极管凭借其发光效率高、体积小、重量轻、环保等优点，已被广泛地应用到当前的各个领域当中，大有取代传统光源的趋势。发光二极管是一种单向导通的电子组件，当经过发光二极管的电流为正向导通时，可使发光二极管发光。当电流反向时，发光二极管不能导通，并且若电流过大，有可能击穿发光二极管，使发光二极管不能再正常工作。因此业界多有设置一稳压二极管与发光二极管并联，若有异常的反向电流或静电产生时，过高的反向电流可经由该稳压二极管进行放电，从而保护发光二极管不受到破坏。目前业界采用打线外置固定的方式，将稳压二极管与发光二极管并联。然而，这种外置并联的稳压二极管不但使发光二极管封装的结构复杂、 体积增大，而且不能保证两者的电连接的稳定性，这对于发光二极管的后端使用都是不利因素。因此，业者对此问题多有关注。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种利于产业应用的。一种发光二极管封装结构，包括绝缘基板、发光二极管芯片及二电极层，该绝缘基板的一面上设有凹槽，该发光二极管芯片设置于该...
【技术保护点】
１．一种发光二极管封装结构，包括：一绝缘基板，具有第一表面以及相对于第一表面之第二表面；一凹槽，位于该绝缘基板之第一表面；二电极层由该凹槽底部两端延伸至绝缘基板之第二表面；及一发光二极管芯片位于该凹槽内并且与该二电极电性连接，其特征在于：该凹槽底部设有与二电极层电性连接并与发光二极管芯片并联的齐纳二极管。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：沈佳辉，洪梓健，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司，荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94
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