【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
１．一种制造包括像素电路区域及周边电路区域的图像传感器的方法，所述方法包括：在所述图像传感器的前侧上或所述前侧中制造前侧组件；在所述图像传感器的背面上植入掺杂剂层；在所述背面上形成抗反射层，所述抗反射层覆盖所述掺杂剂层的在所述像素电路区域下方的第一部分而曝露所述掺杂剂层的在所述周边电路区域下方的第二部分；以及经由所述抗反射层从所述图像传感器的所述背面对所述掺杂剂层的所述第一部分进行激光退火，其中所述抗反射层增大退火激光至所述掺杂剂层的所述第一部分中的穿透，同时相对于所述激光退火期间从所述掺杂剂层的所述第二部分向所述图像传感器的所述背面外的第二散热速率减小所述激光退火期间从所述掺杂剂层的所述第一部分向所述图像传感器的所述背面外的第一散热速率。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：D·毛，戴幸志，V·韦内齐亚，钱胤，H·E·罗兹，
申请(专利权)人：美商豪威科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US
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