【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于纳米加工
，具体涉及一种利用纳米压印技术制备图案化氧化锌纳米薄膜的方法。
技术介绍
氧化锌(ZnO)是一种新型宽禁带直接带隙II- VI族半导体材料，室温下的禁带宽度为3. 37 eV，激子束缚能高达60 meV，广泛用于研制高效率发光二极管(LED)、紫外探测器等短波长光电器件。在太阳能电池工艺中，图案化纳米ZnO薄膜可以提高可见光区的光透过率，并可通过掺杂提高其导电性，是作为太阳能电池窗口层以及顶电极的优异结构材料。传统的ZnO薄膜制备方式如磁控溅射等技术只能制作平面结构的薄膜，而传统的纳米微加工技术如光刻、电子束刻蚀EBL、离子束刻蚀IBL等制备纳米图案化结构的成本高效率低下，并不能大范围、高效率、低成本地制备出纳米图案化的薄膜。纳米压印技术在1995年由普林斯顿大学chou教授首先提出，其利用带有图形的模板利用机械力将图案转移至聚合物胶上，与其他光刻技术如EBL，IBL等相比，纳米压印是一种高产量、廉价的图形转移技术，分辨率也极高可以达到10 nm以下。经过十几年的发展已经广泛应用于微电子器件，生物检测，精密光学器件等领域。纳米压印所...
【技术保护点】
１．图案化氧化锌薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：（１）制备胶体球模板：将聚苯乙烯球悬浮液滴入去离子水中，气液界面处自组装形成一层聚苯乙烯薄膜，然后将聚苯乙烯薄膜转移至基底上，干燥得胶体球模板；（２）制备聚二甲基硅氧烷负型结构软模板：将聚二甲基硅氧烷与固化剂混匀，抽真空脱去气泡；用十八烷基三氯硅烷溶液对胶体球模板浸泡１０－３０ｓ，然后将聚二甲基硅氧烷与固化剂的混合物浇铸到胶体球模板上，真空加热固化，将聚二甲基硅氧烷层从胶体球模板上揭下得到聚二甲基硅氧烷负型结构软模板；（３）制备氧化锌前驱体溶胶：将硝酸锌、氯化锌或硫酸锌溶于溶剂中，加入聚丙烯酸混匀得氧化锌前驱体溶胶，...
【技术特征摘要】
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。