【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于制备铁族金属的双(二烯基)配位化合物(例如，铁族金属的双(戊二烯基)配位化合物)的方法。
技术介绍
M(RPD)2S有机金属配位化合物通常用于与形成薄膜相关的工艺中，其中M表示铁、钌或锇，R表示氢或烷基，PD可以为形成三明治型配位化合物的环状或开链的二烯基体系。例如，钌薄膜可以用于需要电阻层或导电层的半导体制造，如用作陶瓷上的装饰涂层； 也可以用于阻热表面，如汽车车窗中的阻热表面。电子元件相关文献描述了通过化学气相沉积法(CVD)形成导电膜和电阻膜。对于电子设备而言，高纯度原料是实现操作性部件 (operational part)的高产率生产所必不可少的。在美国专利No. 6，002, 036和No. 6，642，402所描述的形成双(二烯基)钌配位化合物的方法中，分别采用锌和镁作为还原金属。但是，在反应中采用Zn或Mg会导致戊二烯基-Zn和戊二烯基-Mg杂质的形成。尽管上述现有技术通常在反应中避免水的存在，但是 Kadokura (美国专利No. 6，002, 036)提出，反应物RuCl3水合物中痕量的水足以分解任何可能形成的Zn (E...
【技术保护点】
１．一种制备式（Ｉ）所示的有机金属配位化合物的方法：Ｍ（ＲＰＤ）２ （Ｉ）其中，Ｍ＝铁、钌或锇，Ｒ＝Ｈ或具有约１－４个碳原子的烷基，ＰＤ＝形成三明治型配位化合物的环状或开链的二烯基体系；并且其中式（Ｉ）所示的所述配位化合物的金属纯度为至少约９９．９９％；所述方法包括使Ｍ（ＩＩＩ）三氯化物水合物和ＨＲＰＤ化合物与至少一种还原金属在醇溶剂中反应，其中该至少一种还原金属选自由Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｈ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｃａ和Ｃｕ所组成的组。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·沙普，K·金，S·杰弗里，
申请(专利权)人：WC贺利氏有限公司，
类型：发明
国别省市：DE
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。