【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及ZnO纳米线阵列，尤其涉及。
技术介绍
ZnO作为一种宽禁带半导体材料，由于具有高达60 meV的激子束缚能，近年来成为发光二极管和紫外激光器等光电子器件的热门备选材料，具有很好的应用潜力。一维ZnO 纳米材料作为最优异的半导体纳米材料之一，在光学、电输运、压电、光电、场发射、光催化、 稀磁等性能上具有显著特点，因此在纳米光电子器件上的应用也成为全世界的研究热点。 目前，在一维ZnO纳米材料研究领域，关注的重点包括一维ZnO纳米材料的可控及高产率制备、结构与性能调控、纳米器件组装、纳米材料及器件的性能测试与评估等方面。制备ZnO纳米阵列的方法很多，基本步骤主要包括选择合适的衬底、生长缓冲层、 生长纳米线等。而合成纳米线阵列的主要方法包括热蒸发法、溶液法、脉冲激光沉积法 (PLD )、分子束外延法(MBE )、金属有机化学气相沉积法(MOCVD )等。溶液法虽然条件温和， 且制备简单，重复性高，但由于在反应过程中ZnO纳米线是随机合成的，因此取向性较差， 且晶体质量不高；而热蒸发法合成的ZnO纳米线阵列具有较高的晶体质量和相对较为简单可行的方法而被...
【技术保护点】
１．一种斜向ＺｎＯ纳米线阵列，其特征在于所述的ＺｎＯ纳米线与衬底表面呈５５～６５°夹角，向相反的方向交叉有序排列。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：叶志镇，张宏海，吕建国，杨晓朋，黄俊，李洋，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：86
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