【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种具有光催化特性的ZnO纳米片/纳米线复合结构，属于光催化、环境保护、纳米材料制备
技术介绍
ZnO是一种重要的宽禁带II-VI族半导体材料，其带宽为3.37 eV，室温下的激子束缚能高达60 meV，具有优良的化学性质和热稳定性及良好的发光、光电转换等性能，使其在光电子、尤其是在纳米光电子器件中得到了广泛的应用。深入研究ZnO纳米结构材料的生长机理，控制其形貌、结构和尺度分布，是进一步拓展ZnO纳米结构应用领域的重要途径。其中，将高比表面积的ZnO纳米结构用作光催化剂来降解废水中的有机物就是典型之例。目前，人类生产活动排放的有机废水导致了大面积的污染，严重威胁着生态环境安全。应用半导体光催化技术净化环境是近年来研究开发出来的一种新方法。ZnO纳米结构材料是高效半导体光催化剂的典型代表。在紫外光照射下，ZnO价带的电子受激发跃迁到导带，同时在价带产生空穴，空穴与吸附在ZnO纳米结构表面的水反应产生氢氧自由基(·OH)，而电子则与吸附在ZnO纳米结构表面的氧反应产生活性离子氧(·O2－)，这两种物质均具有高的氧化活性，能够将吸附在光催化剂...
【技术保护点】
１．一种具有光催化特性的ＺｎＯ纳米片／纳米线复合结构，其特征在于包括导电载体（１）、ＺｎＯ纳米片（２）和ＺｎＯ纳米线（３），所述ＺｎＯ纳米片沉积在导电载体上，ＺｎＯ纳米线的一端与ＺｎＯ纳米片连接。
【技术特征摘要】
1.一种具有光催化特性的ZnO纳米片/纳米线复合结构，其特征在于包括导电载体（1）、ZnO纳米片...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐峰，孙立涛，董方洲，孙俊，毕恒昌，尹奎波，万能，雷双瑛，胡小会，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：实用新型
国别省市：84
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