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本发明公开的斜向ZnO纳米线阵列，其ZnO纳米线与衬底表面呈55～65°夹角，向相反的方向交叉有序排列。采用热蒸发法生长。本发明的斜向ZnO纳米线阵列的生长方法简单易行，重复性高，通过调节源材料加热温度、衬底与源材料的距离、源材料的质量和生...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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