一种晶圆清洗装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种晶圆清洗装置，用于清洗晶圆，包括：晶圆固定转台，其上固定放置所述晶圆；清洗罩，设置于所述晶圆外围，所述清洗罩上设置有通孔；清洗液喷管，固定于所述清洗罩的通孔上，其喷嘴朝向所述晶圆；及废液吸收管，固定于所述清洗罩的通孔上，位于所述清洗液喷管下方、所述晶圆周围。本实用新型专利技术所述清洗液喷管喷出清洗液冲洗晶圆的同时，所述废液吸收管快速将冲洗过晶圆的清洗液吸收排出，从而快速排除残留在晶圆表面的污染杂质，从而快速彻底地完成清洗。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体制造工艺设备，尤其涉及一种晶圆清洗装置。
技术介绍
随着半导体元件特征的尺寸逐渐缩小至深次微米的范围，为了确保元件的可靠度，在制作集成电路或其他电子装置时，提供极度平坦的晶片表面或基底表面是十分重要的。在半导体制造工艺中，清洗是其中最重要和最频繁的步骤之一。一般说来，在半导体的整个制造工艺中，高达20%的步骤为清洗步骤，清洗的目的是为了避免微量离子和金属杂质对半导体器件的污染，以至于影响半导体器件的性能和合格率。在目前半导体器件的制造工艺中，常采用化学机械研磨来进行金属或介质膜的整体平整。化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)技术是机械研磨和化学反应组合的技术，化学机械抛光技术借助超微粒的研磨作用以及浆料的化学腐蚀作用，在被研磨的介质表面上形成光洁平坦的平面。化学机械抛光技术是集成电路(IC)向细微化、多层化、薄型化、平坦化工艺发展的产物，已经成为半导体制造行业的主流技术，也是晶片向 200mm、300mm乃至更大的直径过度、提高生产效率、降低制造成本以及衬底全局化平坦化必备的工艺技术。在化学机械研磨工艺中会使用到研本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种晶圆清洗装置，用于清洗晶圆，其特征在于，包括：晶圆固定转台，其上固定放置所述晶圆；清洗罩，设置于所述晶圆外围，所述清洗罩上设置有通孔；清洗液喷管，设置于所述清洗罩的第一通孔上，其喷嘴朝向所述晶圆；及废液吸收管，设置于所述清洗罩的第二通孔上，位于所述清洗液喷管下方及所述晶圆周围。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋莉，黎铭琦，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31