一种垂直沟道恒流二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种垂直沟道恒流二极管。包括衬底，衬底上设有一层外延层，外延层上设有一组P+扩散区，在每个P+扩散区之间设有与负电极连接N+区，外延层的边缘设有绝缘层；衬底与正电极连接，外延层和P+扩散区与负电极连接。本实用新型专利技术是一种可获得不同恒定电流物理特性产品。可提供较大的正向恒定电流，具有恒电流启动电压低，高速，高反向电压的电物理特性。采用半导体PN结空间电荷区可控制的方法实现沟道电阻的自动调节。实现了用恒流二极管直接驱动恒流负载的目的。由于不需要通过电子线路就可为恒流负载提供大恒流源，简化了结构，缩小了体积，提高了可靠性。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及到一种二极管，特别是涉及到一种垂直沟道恒流二极管。属于半 导体

技术介绍
恒流源是电子设备中常用的一种装置，目前对恒定电流要求的场合一般采用电子 元器件构成的电子线路来实现。这种方式虽然可以获得恒定电流，但结构复杂，体积大，可 靠性难于保证。
技术实现思路
本技术的目的在于，提供一种垂直沟道恒流二极管。既具有较低的启动电压 和较快的反应速度，又具有较大的恒定电流值和耗散功率。以实现用恒流二极管直接驱动 恒流负载和其他恒定电流应用的目的。本技术的技术方案一种垂直沟道恒流二极管，包括衬底，衬底上设有一层外 延层，外延层上设有一组P+扩散区，在每个P+扩散区之间设有与负电极连接N+区，外延层 的边缘设有绝缘层；衬底与正电极连接，外延层和P+扩散区与负电极连接。前述的垂直沟道恒流二极管中，所述衬底是用高掺杂的P型半导体材料制成。前述的垂直沟道恒流二极管中，所述外延层是用低掺杂的N型半导体材料制成。前述的垂直沟道恒流二极管中，所述半导体材料为硅材料。前述的垂直沟道恒流二极管中，所述P+扩散区是在外延层上扩散出的一块浓硼 区域。前述的垂直沟道恒流二极管中，所述N+区是在外延层上本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种垂直沟道恒流二极管，其特征在于：包括衬底（４），衬底（４）上设有一层外延层（３），外延层（３）上设有一组Ｐ＋扩散区（６），在每个Ｐ＋扩散区（６）之间设有与负电极（１）连接Ｎ＋　区（７），外延层（３）的边缘设有绝缘层（２）；衬底（４）与正电极（５）连接，外延层（３）和Ｐ＋扩散区（６）与负电极（１）连接。

【技术特征摘要】
1.一种垂直沟道恒流二极管，其特征在于包括衬底(4)，衬底(4)上设有一层外延层 (3)，外延层(3)上设有一组P+扩散区(6)，在每个P+扩散区(6)之间设有与负电极(1)连 接N+区(7)，外延层(3)的边缘设有绝缘层(2);衬底(4)与正电极(5)连接，外延层(3)和 P+扩散区(6)与负电极(1)连接。2.根据权利要求1所述的垂直沟道恒流二极管，其特征在于所述衬底(4)为高掺杂的 P型半导体材料衬底。3.根据权利要求1所述的垂直沟道恒流二极管，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘桥，
申请(专利权)人：贵州煜立电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：52