【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于功率型半导体器件领域，尤其涉及一种异质结构场效应二极管及制造 方法。
技术介绍
功率型肖特基二极管作为稳压器、整流器、逆变器中不可或缺的组成部分，在日常 生活中的应用越来越广泛，主要涉及高压供电、电能管理、工厂自动化和机动车能量分配管 理等诸多领域。同时随着功率型肖特基二极管在电力电子领域的应用越来越广泛，对其性 能也提出了越来越高的要求。目前的功率型肖特基二极管主要采用Si基材料。但由于Si材料禁带宽度、电子 迁移率等材料方面特性的限制，硅基功率器件的性能已经接近其理论极限，不能满足当今 高温、高频、大功率方面的需求。为了提高器件性能，突破Si材料的理论极限，人们已着手 寻找具有更优性能的材料。以GaN、SiC为代表的宽禁带半导体凭借其材料方面的优势，成为当前替代Si材料 的研究热点。其中GaN作为新型III-V化合物半导体材料，具有宽禁带、高临界击穿场强、 高电子迁移率、高热导率等特点，非常适合高温、高频、大功率等方面应用。同时基于GaN异 质结构的大能带带阶以及压电极化和自发极化效应可产生高浓度的2DEG。如AlGaN/GaN异 质结中的2D...
【技术保护点】
一种异质结构场效应二极管，其特征在于，包括衬底（１）及依次设于衬底（１）上的绝缘高阻半导体（２）与宽禁带异质结构势垒层（３），绝缘高阻半导体（２）与宽禁带异质结构势垒层（３）构成二维电子气的异质结构外延层，宽禁带异质结构势垒层（３）及绝缘高阻半导体（２）的顶部通过刻蚀形成一隔离台面，隔离台面上形成有绝缘介质层（６），绝缘介质层（６）上分别形成有与宽禁带异质结构势垒层（３）接触的阴极电极（４）及阳极电极（５），其中，阳极电极（５）一部分位于宽禁带异质结构势垒层（３）上，另一部分位于绝缘介质层（６）之上形成具有Ｓｃｈｏｔｔｋｙ－ＭＩＳ双结构电极的二极管阳极，且阳极电极（５）为低功函数金属制得。
【技术特征摘要】
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。