无电阻半导体集成通用运算放大器的改进方法及其放大器技术

本发明专利技术公开了一种无电阻半导体集成通用运算放大器的改进方法及其放大器，用和双极型工艺兼容的二端器件CRD在电路中直接替代现在一直使用的各种恒流源电路，本发明专利技术的无电阻半导体集成通用运算放大器由前置级、中间级、末级电路构成。新电路中无电阻元件，整个电路结构简单，形式标准，前置级、中间级电路对称，使用的元器件数量大幅减少，CRD器件的尺寸比集成电阻小很多，集成密度提高，功耗减少。整个电路内部没有负反馈，电路瞬态响应大为改善。对于末级输出来说，也不需要过流保护，即使输出端短路也不会损害整个电路，安全性提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及基于半导体集成电路技术原理的新型通用运算放大器集成电路器件，尤其涉及无电阻半导体集成通用运算放大器的改进方法及其放大器。
技术介绍
通用运算放大器是被广泛使用的一种模拟集成电路。在该类集成电路中广泛采用的核心器件是双极型晶体管(bipolartechnologicalprocess)与MOS晶体管(MOStechnologicalprocess)。其中，双极型晶体管是电流控制型器件，在电路中需要电阻限制、控制电流。即使MOS晶体管是电压控制型器件，在电路中也不可避免地要使用电阻实现合理的偏置及负载。电阻在模拟集成电路中的设计与使用已经成为该领域常态。集成电路中的电阻元件占用较大的芯片面积，产生功耗(特别是静态功耗)，精度较差，电源电压波动引起电流变化，从而影响电路功能和性能。因此，要对现有技术进行改进，必须抛弃必须使用电阻设计的传统，用CRD(恒流二极管)器件替代恒流源电路给双极型晶体管或MOS晶体管提供合理的偏置及有源负载，提高工作点稳定性，获得高增益。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种无电阻半导体集成通用运算放大器的改进方法及其放大器，用CRD(恒流二极管)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无电阻半导体集成通用运算放大器的改进方法，其特征在于：用CRD器件替代恒流源电路给双极型晶体管或MOS晶体管提供合理的偏置及有源负载，实现全有源器件的通用电压运算放大器电路结构。

【技术特征摘要】
1.一种无电阻半导体集成通用运算放大器的改进方法，其特征在于：用CRD器件替代恒流源电路给双极型晶体管或MOS晶体管提供合理的偏置及有源负载，实现全有源器件的通用电压运算放大器电路结构。2.一种无电阻半导体集成电压通用运算放大器，其特征在于：它由前置级、中间级和末级放大器电路构成；前置级放大器由J1，J2，Q3,Q4组成源极跟随器-共基极差分放大器，J1，J2是JFET；Q1,Q2,Q3,Q4组成射极跟随器-共基极差分放大器；CRD1，CRD2作前置级输出的有源负载；C...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘桥，
申请(专利权)人：贵州煜立电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：贵州;52