运算放大器制造技术

本发明专利技术公开一种运算放大器，包括一第一金氧半场效应晶体管，包括一第一汲极、一第一闸极以及一第一源极；一第二金氧半场效应晶体管，包括有一第二汲极、一第二闸极以及一第二源极，所述第二源极耦接于所述第一金氧半场效应晶体管的所述第一源极；以及一偏压源，耦接于所述第一金氧半场效应晶体管的所述第一源极及所述第二金氧半场效应晶体管的所述第二源极与一第一特定准位之间；其中，所述第一金氧半场效应晶体管及所述第二金氧半场效应晶体管为空乏型，以仅使用一组输入对达到轨对轨输出电压而节省电路面积。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种运算放大器，尤其涉及一种使用空乏型金氧半场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor，MOSFET)作为输入对，而可仅使用一组输入对达到轨对轨(RailtoRail)输出电压而节省电路面积的运算放大器。
技术介绍
运算放大器是一种具有广泛应用的电路基本构筑区块。电路设计者常可使用运算放大器来实现许多种不同的运作功能。例如，在液晶显示器的驱动电路中，运算放大器可作为一输出缓冲器，其依据前级数位至模拟转换器所输出的模拟信号，对负载(即液晶)进行充放电，以驱动液晶显示器上相对应的画素单元。一般来说，在传统驱动芯片中所运用的运算放大器通常为二级结构的放大器，其包括有一第一级放大电路(输入级)以及一第二级输出电路(输出级)。传统运算放大器中的第一级放大电路用来提高所述运算放大器的增益(Gain)，而第二级输出电路则用来推动运算放大器所连接的电容性或是电阻性负载。然而，传统运算放大器具有回路稳定度(LoopStability)不足的问题，因此公知运算放大器会借由一米勒补偿(MillerCompensation)电容进行频率补偿，以达到稳定回路的效果。此外，由于P型输入对及N型输入对仅能分别适用于特定操作电压范围，因此公知运算放大器为达到轨对轨(RailtoRail)输出电压，通常以P型输入对结合N型输入对结合作为输入级。举例来说，请参考图1A及图1B，图1A为公知的一运算放大器10的部分示意图，而图1B为图1A中运算放大器10的操作电压示意图。如图1A所示，运算放大器10包括一输入对100、102、主动负载104、106以及偏压源108、110，其中，P型输入对100包括P型增强型(enhancement)金氧半场效应晶体管MP1、MP2，N型输入对102包括N型增强型金氧半场效应晶体管MN1、MN2，而输入对100、102接收输入电压In+、In-使运算放大器10据以产生输出电压。在此情况下，如图1A及图1B所示，若晶体管MP2欲导通进行操作，则一系统电压VDD减去偏压源108的一导通电压VDsat及晶体管MP2的一门坎电压(thresholdvoltage)的相反值(即P型增强型晶体管中门坎电压为闸源极电压差且为负值，一源闸极电压差VSG需大于门坎电压的相反值以进行导通)需大于输入电压In+，晶体管MP1也具有相同操作条件，因此P型输入对100仅能在一范围CMP导通进行操作；相似地，若晶体管MN2欲导通进行操作，则输入电压In+减去晶体管MN2的一门坎电压(即一门坎电压为正值，一闸源极电压差VGS需大于门坎电压以进行导通)及偏压源110的一导通电压VDsat需大于一接地准位GND(即0V)，晶体管MN1也具有相同操作条件，因此N型输入对102仅能在一范围CMN导通进行操作。如此一来，由于运算放大器10同时具有P型输入对100及N型输入对102在范围CMP、CMN导通进行操作，因此运算放大器10可操作在一全范围VCM而具有轨对轨输出电压。然而，公知运算放大器10需同时具有P型输入对100及N型输入对102，需要较大的电路面积。因此，公知技术实有改进的必要。
技术实现思路
因此，本专利技术的主要目的即在于提供一种使用空乏型金氧半场效应晶体管作为输入对，而可仅使用一组输入对达到轨对轨输出电压而节省电路面积的运算放大器。本专利技术公开一种运算放大器。所述运算放大器包括一第一金氧半场效应晶体管，包括一第一汲极、一第一闸极以及一第一源极；一第二金氧半场效应晶体管，包括一第二汲极、一第二闸极以及一第二源极，所述第二源极耦接于所述第一金氧半场效应晶体管的所述第一源极；以及一偏压源，耦接于所述第一金氧半场效应晶体管的所述第一源极及所述第二金氧半场效应晶体管的所述第二源极与一第一特定准位之间；其中，所述第一金氧半场效应晶体管及所述第二金氧半场效应晶体管为空乏型。在此配合下列附图、实施例的详细说明及权利要求书，将上述及本专利技术的其它目的与优点详述于后。附图说明图1A为公知一运算放大器的部分示意图。图1B为图1A中运算放大器的操作电压示意图图2A为本专利技术实施例1的一种运算放大器的部分示意图。图2B为图2A所示的运算放大器的详细示意图。图3A为本专利技术实施例2的一种运算放大器的部分示意图。图3B为图3A所示的运算放大器的详细示意图。图4为本专利技术实施例一液晶显示器驱动器的示意图。图5为本专利技术实施例另一液晶显示器驱动器的示意图。其中，附图标记说明如下：10、20、30、406、408、506、508运算放大器100、102、202、302输入对104、106、204、304主动负载108、110、206、306偏压源208、308输出级40、50液晶显示器驱动器400、402、500、502数字模拟转换器404、504切换电路MP1～MP4、MN1～MN4晶体管VDD系统电压VDsat导通电压VSG源闸极电压差VGS闸源极电压差In+、In-、Vin输入电压CMP、CMN、VCM范围GND接地准位Vout输出电压具体实施方式实施例1请参考图2A，图2A为本专利技术实施例1的一种运算放大器20的部分示意图。如图2A所示，运算放大器20包括一输入对202、主动负载204以及偏压源206，其中，N型输入对202包括N型金氧半场效应晶体管MN3、MN4。简单来说，金氧半场效应晶体管MN3、MN4分别在闸极接收输入电压In-、In+，且金氧半场效应晶体管MN4的一源极耦接于金氧半场效应晶体管MN3的一源极。主动负载204耦接金氧半场效应晶体管MN3、MN4的汲极。偏压源206耦接于金氧半场效应晶体管MN3、MN4的源极与一第一特定准位(即接地准位GND)之间，其中，金氧半场效应晶体管MN3、MN4为空乏型(depletiontype)。在此情况下，若晶体管MN4欲导通进行操作，则输入电压In+减去晶体管MN4的一门坎电压及偏压源206的一导通电压VDsat需大于一接地准位GND(即0V)，但由于金氧半场效应晶体管MN4为空乏型而门坎电压为负值，因此即使输入电压In+为0仍可导通(如门坎电压为-0.7V而导通电压VDsat为0.3V，晶体管MN4可在(In+)-(-0.7)-0.3>0的情本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种运算放大器，其特征在于，包括：一第一金氧半场效应晶体管，包括有一第一汲极、一第一闸极以及一第一源极；一第二金氧半场效应晶体管，包括有一第二汲极、一第二闸极以及一第二源极，所述第二源极耦接于所述第一金氧半场效应晶体管的所述第一源极；以及一偏压源，耦接于所述第一金氧半场效应晶体管的所述第一源极及所述第二金氧半场效应晶体管的所述第二源极与一第一特定准位之间；其中，所述第一金氧半场效应晶体管及所述第二金氧半场效应晶体管为空乏型。

【技术特征摘要】
1.一种运算放大器，其特征在于，包括：
一第一金氧半场效应晶体管，包括有一第一汲极、一第一闸极以及一第
一源极；
一第二金氧半场效应晶体管，包括有一第二汲极、一第二闸极以及一第
二源极，所述第二源极耦接于所述第一金氧半场效应晶体管的所述
第一源极；以及
一偏压源，耦接于所述第一金氧半场效应晶体管的所述第一源极及所述
第二金氧半场效应晶体管的所述第二源极与一第一特定准位之间；
其中，所述第一金氧半场效应晶体管及所述第二金氧半场效应晶体管为
空乏型。
2.如权利要求1所述的运算放大器，其特征在于，所述第一金氧半场效应
晶体管的一第一基极及所述第二金氧半场效应晶体管的一第二基极耦接
于一第二特定准位，所述第二特定准位等于所述第一特定准位或介于所
述第一特定准位与所述第一金氧半场效应晶体管的所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱韦达，
申请(专利权)人：联咏科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71