发光器件、发光器件封装、以及照明系统技术方案

本发明专利技术提供发光器件、发光器件封装、以及照明系统。发光器件包括：反射金属支撑，该反射金属支撑包括至少两对第一和第二反射金属层；反射金属支撑上的发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；以及发光结构层上的电极。反射金属支撑包括Al、Ag、APC(Ag-Pd-Cu)合金、以及Au-Ni合金中的至少一个。

【技术实现步骤摘要】

实施例涉及发光器件、发光器件封装、以及照明系统。
技术介绍
发光二极管(LED)是将电流转换为光的半导体发光器件。从此LED发射的光的波长取决于被用于制造LED的半导体材料。这是因为被发射的光的波长取决于半导体材料的带隙，涉及价带电子和导带电子之间的能量差。近年来逐渐地增加LED的亮度，LED被用作用于显示器、车辆、以及照明的光源。而且，通过使用荧光物质或者组合具有各种颜色的LED可以实现具有优秀的效率的发射白光的 LED。
技术实现思路
实施例提供具有新结构的发光器件、发光器件封装、以及照明系统。实施例还提供具有提高的光效率的发光器件、发光器件封装、以及照明系统。实施例还提供具有热辐射效率的发光器件、发光器件封装、以及照明系统。在一个实施例中，发光器件包括反射金属支撑，该反射金属支撑包括至少两对第一和第二反射金属层；反射金属支撑上的发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；以及发光结构层上的电极，其中所述反射金属支撑包括Al、Ag、 APC(Ag-Pd-Cu)合金、以及Au-Ni合金中的至少一个。在另一实施例中，发光器件包括反射金属支撑，该反射金属支撑包括具有压应力的第一反射金属层和具有拉应力的第二反射金属层；反射金属支撑上的发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；以及发光结构层上的电极，在又一实施例中，发光器件封装包括封装主体；封装主体上的第一和第二电极； 发光器件，该发光器件电气地连接到封装主体上的第一和第二电极；以及封装主体上的成型构件，该成型构件包围所述发光器件，其中发光器件包括反射金属支撑，该反射金属支撑包括至少两对第一和第二反射金属层；反射金属支撑上的发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；以及发光结构层上的电极，其中所述反射金属支撑包括 Al、Ag、APC(Ag-Pd-Cu)合金、以及Au-Ni合金中的至少一个。在附图和下面的描述中提出一个或者多个实施例的细节。根据描述和附图以及权4利要求，其它的特征将会是显然的。 附图说明图1是根据第一实施例的发光器件的视图。图2是根据第二实施例的发光器件的视图。图3是根据第三实施例的发光器件的视图。图4是根据第四实施例的发光器件的视图。图5至图7是用于解释制造根据第一实施例的发光器件的工艺的视图。图8是根据实施例的发光器件封装的视图。图9是根据实施例的使用发光器件或者发光器件封装的背光单元的视图。图10是根据实施例的使用发光器件或者发光器件封装的视图。具体实施例方式在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在衬底、层(或者膜)、区域、焊盘或者图案“上”时，它能够直接在另一层或者衬底上，或者还可以存在中间层。此外，将会理解的是，当层被称为在另一层“下”时，它能够直接在另一层下， 并且还可以存在一个或者多个中间层。此外，将会基于附图进行关于在每层“上”和“下”的参考。在附图中，为了便于描述和清晰，每层的厚度或者尺寸被夸大、省略或示意性示出。此外，每个元件的尺寸没有完全反映实际尺寸。在下文中，将会参考附图描述发光器件、发光器件封装、照明系统、以及制造根据实施例的发光器件的方法。图1是根据第一实施例的发光器件的视图。参考图1，根据第一实施例的发光器件包括反射金属支撑80、反射金属支撑80上的发光结构层150、以及发光结构层150上的电极90。反射金属支撑80可以包括第一反射金属层80a和第二反射金属层80b。当第一反射金属层80a和第二反射金属层80b被限定为一对单元层时，反射金属支撑80可以包括多对单元层。例如，反射金属支撑80可以包括2对至80对第一反射金属层80a和第二反射金属层80b。特别地，反射金属支撑80可以包括30对至70对第一反射金属层80a和第二反射金属层80b，而且，可以包括40对至60对第一反射金属层80a和第二反射金属层80b。第一反射金属层80a和第二反射金属层80b可以由相同的金属或者不同的金属形成。例如，第一反射金属层80a和第二反射金属层80b中的每一个可以具有大约0. 1 μ m至大约10 μ m的厚度。特别地，第一反射金属层80a和第二反射金属层80b中的一个可以具有大约0. 4 μ m至大约0. 8 μ m的厚度，并且第一反射金属层80a和第二反射金属层80b中的另一个可以具有大约0. 8 μ m至1. 2 μ m的厚度。反射金属支撑80可以包括相互堆叠的多对第一反射金属层80a和第二反射金属层80b，并且包括具有大约50 μ m至大约200 μ m的厚度。反射金属支撑80可以具有比发光结构层150厚的厚度。例如，发光结构层150可以具有大约3μπι至大约4μπι的厚度。 第一反射金属层80a可以具有压应力，并且第二反射金属层80b可以具有拉应力。 另一方面，第一反射金属层80a可以具有拉应力，并且第二反射金属层80b可以具有压应力。由于第一反射金属层80a和第二反射金属层80b具有彼此相反的应力，所以第一反射金属层80a的压应力和第二反射金属层80b的拉应力可以相互偏移以减少反射金属支撑80的应力。因此，由于反射金属支撑80的应力对发光结构层150具有很小的影响，所以反射金属层80可以具有厚的厚度。例如，第一反射金属层80a可以具有大约IOOMPa至大约2，OOOMPa的压应力，并且第二反射金属层80b可以具有大约IOOMPa至大约2，OOOMPa的拉应力。其中多对第一反射金属层80a和第二反射金属层80b相互堆叠的反射金属支撑80可以具有大约OMPa至大约 2，OOOMPa的压应力或者拉应力。第一反射金属层80a和第二反射金属层80b中的每一个可以由使用诸如溅射工艺或者电子束蒸镀工艺的干沉积工艺能够形成的金属形成。例如，第一反射金属层80a和第二反射金属层80b中的每一个可以由具有高的反射率的Al、Ag、以及APC(Ag-Pd-Cu)合金中的至少一个形成。而且，由于第一反射金属层80a和第二反射金属层80b接触第二导电类型半导体层50，所以第一反射金属层80a和第二反射金属层80b中的每一个可以由相对于第二导电类型半导体层50具有低的接触电阻的Au-Ni合金形成。反射金属支撑80可以直接设置在第二导电类型半导体层50下，以接触第二导电类型半导体层50。发光结构层150具有包括第一导电类型半导体层30、有源层40、以及第二导电类型半导体层50的堆叠结构。当将电力施加给第一导电类型半导体层30和第二导电类型半导体层50时，光从有源层40发射。而且，第一导电类型hGaN/GaN超晶格结构或者hGaN/InGaN超晶格结构可以设置在第一导电类型半导体层30和有源层40之间。而且，第二导电类型AWaN层可以设置在第二导电类型半导体层50和有源层40 之间。例如，第一导电类型半导体层30可以包括η型半导体层。第一导电类型半导体层 30可以由具有InxAlyGEt1TyN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光器件，包括：反射金属支撑，所述反射金属支撑包括至少两对第一和第二反射金属层；所述反射金属支撑上的发光结构层，所述发光结构层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；以及电极，所述电极在所述发光结构层上，其中所述反射金属支撑包括Ａｌ、Ａｇ、ＡＰＣ（Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ）合金、以及Ａｕ－Ｎｉ合金中的至少一个。

【技术特征摘要】
2010.03.09 KR 10-2010-00209221.一种发光器件，包括反射金属支撑，所述反射金属支撑包括至少两对第一和第二反射金属层； 所述反射金属支撑上的发光结构层，所述发光结构层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；以及电极，所述电极在所述发光结构层上，其中所述反射金属支撑包括Al、Ag、APC(Ag-Pd-Cu)合金、以及Au-Ni合金中的至少一个。2.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括欧姆接触层，所述欧姆接触层在所述反射金属支撑和所述发光结构层之间。3.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括电流阻挡区域，所述电流阻挡区域在所述反射金属支撑和所述发光结构层之间。4.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述第一和第二反射金属层中的每一个具有比所述第一和第二反射金属层中的每一个的外围部分低的与所述电流阻挡区域的位置相对应的部分。5.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括焊料金属层，所述焊料金属层在所述反射金属支撑下。6.根据权利要求5所述的发光器件，...

【专利技术属性】
技术研发人员：金根浩，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR