一种基于半导体光放大芯片的激光器，在底板上设置有侧壁加工有导线孔、右侧壁加工有出光孔的盖体，盖体内底板的左侧设置安装有压电换能器的支撑块，压电换能器的右侧设置有全反射镜，底板上全反射镜右侧水平光轴方向设置有聚焦透镜，聚焦透镜右侧水平光轴方向设置有选模器件，选模器件右侧水平光轴方向设置有第一准直透镜，第一准直透镜右侧水平光轴方向设置有入射面镀有增透膜、出射镀有部分反射膜的半导体光放大芯片，半导体光放大芯片右侧水平光轴方向设置有第二准直透镜，第二准直透镜右侧水平光轴方向设置有柱透镜。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体激光器领域，具体涉及一种半导体光放大芯片激光器。
技术介绍
半导体光放大芯片是一种可实现光功率放大的器件，其具有小型化、低功耗和高 增益等特性，增益系数可达30dB。在长距离光纤通讯、冷原子等需要大功率激光(大于 500mff)的领域有广泛的应用。但是半导体光放大芯片不能单独使用，需要一台激光器提供 种子光，注入到加载电流的芯片增益介质上，才可实现种子光的功率放大，同时保持输出的 激光特性不变。在无种子激光输入的情况下，半导体光放大芯片输出的光不是激光，而是普 通的自然光。这种方法需要激光器和半导体光放大器两个系统配合使用，不但成本高，而且 系统不稳定，容易出现故障。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于克服现有激光器的不足，提供一种机械稳定性 好、可实现大功率、超窄线宽和波长可调谐的基于半导体光放大芯片的激光器。解决上述技术问题所采用的技术方案是在底板上设置有侧壁加工有导线孔、右 侧壁加工有出光孔的盖体，盖体内底板的左侧设置安装有压电换能器的支撑块，压电换能 器的右侧设置有全反射镜，底板上全反射镜右侧水平光轴方向设置有聚焦透镜，聚焦透镜 右侧水平光轴方向设置有选模器件，选模器件右侧水平光轴方向设置有第一准直透镜，第 一准直透镜右侧水平光轴方向设置有入射面镀有增透膜、出射镀有部分反射膜的半导体光 放大芯片，半导体光放大芯片右侧水平光轴方向设置有第二准直透镜，第二准直透镜右侧 水平光轴方向设置有柱透镜。本专利技术的半导体光放大芯片入射面的增透膜为真空交替蒸镀8 12层二氧化硅 和二氧化锆增透膜、出射面的部分反射膜为真空交替蒸镀10 18层氟化镁和氟化钙反射 膜或真空交替蒸镀10 16层二氧化硅和氟化镁反射膜。本专利技术的全反射镜与半导体光放大芯片出射面的部分反射膜构成激光谐振腔，聚 焦透镜位于谐振腔内，全反射镜位于聚焦透镜的焦点所在的垂直平面内，全反射镜与聚焦 透镜之间的距离与聚焦透镜的焦距相等，全反射镜的镜面上真空交替蒸镀有M 30层三 氧化二铝和五氧化二钽反射膜。本专利技术的选模器件为带宽小于2006Hz、刻线密度为300 6001/mm的透射光栅或 透过率为80% 97%的法布里-珀罗标准具。本专利技术的半导体光放大芯片与第一准直透镜之间的距离与第一准直透镜的焦距 相等。本专利技术的柱透镜与半导体光放大芯片之间的距离与柱透镜的焦距相等。本专利技术在半导体光放大芯片的出射面镀有部分反射膜层、入射面镀有增透膜，半 导体光放大芯片出射面的部分反射膜层与外部设置的全反射镜构成激光谐振腔，由于激光谐振腔腔长比半导体激光器的腔长长，因此可获得窄线宽的激光；半导体光放大芯片发出 的自然光经位于其入射端之前的第一准直透镜准直后，通过在激光谐振腔中插入的选模器 件获得单模光，实现激光器的大功率窄线宽单模激光输出；本专利技术采用半导体光放大芯片 发出的自然光作为种子光经全反射镜反射注入到自身的增益介质层，在激光谐振腔中振荡 放大，获得大功率窄线宽激光输出；同时在全反射镜前设有聚焦透镜，可增强激光谐振腔的 机械稳定性；在全反射镜后端面粘结压电换能器，可实现腔长的调节，从而实现激光波长可 调谐；而半导体光放大芯片输出的激光发散，光斑为椭圆状，经过准直透镜后可获得平行 光，再经过柱透镜整形，可获得圆形的激光光斑。附图说明图1是本专利技术实施例1的结构示意图。 具体实施例方式下面结合附图和各实施例对本专利技术进一步详细说明，但本专利技术不限于这些实施 例。实施例1在图1中，本实施例的基于半导体光放大芯片的激光器由压电换能器1、全反射镜 2、聚焦透镜3、选模器件4、第一准直透镜5、半导体光放大芯片6、第二准直透镜7、柱透镜 8、盖体9、底板10、支撑块11联接构成。底板10上用螺纹紧固联接件固定联接有盖体9，盖体9的左侧壁上加工有导线孔， 导线可从导线孔内穿过，盖体9的右侧壁上加工有出光孔，激光可经出光孔射出。盖体9内 底板10的左侧用螺纹紧固联接件固定联接有支撑块11，支撑块11上用螺纹紧固联接件固 定联接有压电换能器1，压电换能器1通过导线与外部电压源连接，通过调节加载在压电换 能器1的电压可调节激光谐振腔腔长，从而实现所输出的单模窄线宽大功率激光的波长可 调谐。在压电换能器1上用胶粘贴固定有全反射镜2，全反射镜2为平面反射镜，全反射镜 2的镜面上真空交替蒸镀有观层三氧化二铝和五氧化二钽，全反射镜2的反射率为99. 8以 上。底板10上全反射镜2右侧水平光轴方向用螺纹紧固联接件固定联接有聚焦透镜3，聚 焦透镜3的焦距为18. 2mm，全反射镜2与聚焦透镜3之间的距离与聚焦透镜3的焦距相等， 全反射镜2位于聚焦透镜3的焦点所在的垂直平面内，聚焦透镜3用于将单模光聚焦到全 反射镜2上，聚焦透镜3数值孔径为6. 2，聚焦透镜3镜面上真空交替蒸镀有10层二氧化硅 和二氧化锆。底板10上聚焦透镜3右侧水平光轴方向用螺纹紧固联接件固定联接有选模 器件4，平行光束经选模器件4后得到单模光。本实施例的选模器件4是带宽为200GHz、透 过率为90%的法布里-珀罗标准具。底板10上选模器件4右侧光轴方向用螺纹紧固联接 件固定联接有第一准直透镜5，第一准直透镜5的曲率半径为3. 1mm，数值孔径为6. 8，镜面 上真空交替蒸镀有10层二氧化硅和二氧化锆，第一准直透镜5用于将自然光准直成平行光 束。底板10上第一准直透镜5右侧光轴方向用螺纹紧固联接件固定联接有半导体光放大 芯片6，半导体光放大芯片6与第一准直透镜5之间的距离与第一准直透镜5的焦距相等。 本实施例的半导体光放大芯片6的中心波长为850nm，增益系数为30dB，本专利技术还可以采用 中心波长为780nm、795nm、830nm、1330、1550nm的半导体光放大芯片。在半导体光放大芯片6的入射面上真空交替蒸镀有10层二氧化硅和二氧化锆增透膜，在半导体光放大芯片6的 出射面上真空交替蒸镀有14层氟化镁和氟化钙部分反射膜。本专利技术的全反射镜2与半导 体光放大芯片6出射面的部分反射膜构成激光谐振腔，其机械稳定性好，可获得单模窄线 宽的大功率激光输出。底板10上半导体光放大芯片6右侧光轴方向用螺纹紧固联接件固 定安装有第二准直透镜7，第二准直透镜7的焦距为4. 35mm，第二准直透镜7与半导体光放 大芯片6之间的距离与第二准直透镜7的焦距相同，第二准直透镜7的镜面上真空交替蒸 镀有10层二氧化硅和二氧化锆增透膜。底板10上第二准直透镜7右侧光轴方向用螺纹紧 固联接件固定安装有柱透镜8，柱透镜8的焦距为34. 4mm,柱透镜8与半导体光放大芯片6 之间的距离与柱透镜8的焦距相等，柱透镜8的镜面上真空交替蒸镀有10层二氧化硅和二 氧化锆增透膜。半导体光放大芯片6输出的可调谐单模窄线宽大功率激光先后经过第二准 直透镜7、柱透镜8后得到圆形光斑的平行激光输出。实施例2本实施例的半导体光放大芯片6入射面的增透膜为真空交替蒸镀8层二氧化硅和 二氧化锆，半导体光放大芯片6出射面的部分反射膜为真空交替蒸镀14层氟化镁和氟化 钙。全反射镜2的镜面上真空交替蒸镀有M层三氧化二铝和五氧化二钽反射膜。选模器 件4为带宽小于200GHz、透过率为80%的法布里-珀罗标准具。本实施例的其它零部件以 及零部件的联接关系与实施例本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种基于半导体光放大芯片的激光器，其特征在于：在底板（１０）上设置有侧壁加工有导线孔、右侧壁加工有出光孔的盖体（９，盖体（９）内底板（１０）的左侧设置安装有压电换能器（１）的支撑块（１２），压电换能器（１）的右侧设置有全反射镜（２），底板（１０）上全反射镜（２）右侧水平光轴方向设置有聚焦透镜（３），聚焦透镜（３）右侧水平光轴方向设置有选模器件（４），选模器件（４）右侧水平光轴方向设置有第一准直透镜（５），第一准直透镜（５）右侧水平光轴方向设置有入射面镀有增透膜、出射镀有部分反射膜的半导体光放大芯片（６，半导体光放大芯片（６右侧水平光轴方向设置有第二准直透镜（７），第二准直透镜（７）右侧水平光轴方向设置有柱透镜（８）。
【技术特征摘要】
1.一种基于半导体光放大芯片的激光器，其特征在于在底板(10)上设置有侧壁加工 有导线孔、右侧壁加工有出光孔的盖体(9，盖体(9)内底板(10)的左侧设置安装有压电换 能器(1)的支撑块(12)，压电换能器(1)的右侧设置有全反射镜O)，底板(10)上全反射 镜(2)右侧水平光轴方向设置有聚焦透镜(3)，聚焦透镜C3)右侧水平光轴方向设置有选模 器件G)，选模器件(4)右侧水平光轴方向设置有第一准直透镜(5)，第一准直透镜(5)右 侧水平光轴方向设置有入射面镀有增透膜、出射镀有部分反射膜的半导体光放大芯片(6， 半导体光放大芯片(6右侧水平光轴方向设置有第二准直透镜(7)，第二准直透镜(7)右侧 水平光轴方向设置有柱透镜(8)。2.按照权利要求1所述的基于半导体光放大芯片的激光器，其特征在于所说的半导 体光放大芯片(6)入射面的增透膜为真空交替蒸镀8 12层二氧化硅和二氧化锆增透膜、 出射面的部分反射膜为真空交替蒸镀10 18层氟化镁和氟化钙反射膜或真空交替蒸镀 10 16层二...
【专利技术属性】
技术研发人员：阮军，张首刚，吴长江，张辉，刘杰，刘丹丹，
申请(专利权)人：中国科学院国家授时中心，
类型：发明
国别省市：87
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