基板处理装置的气体供给结构制造方法及图纸

本发明专利技术涉及的基板处理装置的气体供给结构，将喷头以四边形环状结构配置在腔室的上部，或者喷头的喷射面为曲面、喷射口形成放射状结构，以便在腔室内更加均匀地喷射工艺气体，从而能够形成均匀的等离子体，可提供提高蚀刻处理性能的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种在腔室内产生等离子体而执行基板表面处理工艺的基板处理装置的气体供给结构。
技术介绍
大规模集成电路(LSI=Large Scale Integrated Circuit)或平板显示装置(FPD Flat Panel Display)这样的电子器件，在制造过程中要对基板执行真空处理工艺。这种真空处理工艺是，向腔室内导入气体，通过高压放电产生等离子体，而且利用该等离子体的加速力使基板表面上的物质以物理方式喷溅(sputter)的方法，和利用等离子体的活性种以化学方式分解基板表面上的物质的方法。按照形成等离子体的方法，利用等离子体的基板处理技术可以分为等离子体蚀刻 (PE =Plasma肚ching)、反应离子蚀刻(RIE :Reactive Ion Etching)、磁增强反应离子蚀刻 (MERIE =Magneticaly Enhanced Reactive Ion Etching) >(ECR =Electron Cyclotron Resonance)、变换耦合等离子体(TCP ； Trans former Coupled Plasma)以及电感耦合等离子体(ICP dnductively Coupled Plasma)等。特别是，高密度等离子体的形成和玻璃(或者半导体)基板上的等离子体浓度的均勻性，对沉积或者蚀刻性能具有很大的影响。为此，变换多种方式开发了用于产生等离子体的方法，其中之一是电感耦合等离子体产生方式(ICP dnductively Coupled Plasma) 0这种电感耦合等离子体方式是，利用在电介质的外部缠绕线圈来改变电磁场时， 在线圈内部产生感应磁场、并且在反应腔室内形成由此产生的二次感应电流的原理，来产生高密度等离子体的方法。利用ICP方法的基板处理装置的结构通常是，在腔室的内部下侧具备搭载基板的下部电极，在腔室或者与该腔室接合的导引架的上部具备施加RF电源的天线，并且一边向腔室内供给反应气体、一边产生等离子体，从而能够执行基板表面处理工艺。如上所述的基板处理装置是向腔室内喷射工艺气体的结构，有直接喷射方法和喷头方法。根据向腔室内喷射工艺气体的结构，不仅能够形成更加均勻的等离子体，对基板的沉积或者蚀刻处理性能也产生很大影响，所以要求符合大型化的基板处理装置的气体喷射结构。以上说明的
技术介绍
内容是本申请的专利技术人为了导出本专利技术而拥有或者在本专利技术的导出过程中所学到的技术信息，不能说一定是本专利技术申请之前对一般公众公开的公知技术。
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供一种基板处理装置的气体供给结构，将喷头以四边形环状结构配置，以便向腔室内均勻地喷射工艺气体，从而不仅能够形成均勻的等离子体，还能提高沉积或者蚀刻处理性能。为了实现上述课题，本专利技术涉及的基板处理装置的气体供给结构，具有导引架， 具备构成多边形框体的外廓面的外廓架和设置在所述外廓架的内部且分隔中央窗口和该中央窗口周边的周边窗口的分隔架；喷头，在所述分隔架的底面以多边形环状结构配置，以便向腔室内部喷射工艺气 体。此时，也可以是，所述喷头的喷射面以水平面形成，在该水平面上形成的气体喷射口沿垂直方向形成。再者，也可以是，所述喷头的喷射面以曲面形成，在该曲面上形成的气体喷射口形成放射状结构。还有，也可以是，所述喷头不仅形成在所述分隔架的底面，还形成在中央窗口侧的侧面上。另外，也可以是，所述导引架的外廓架由四边形框体结构形成，所述喷头以四边形环状结构配置。优选的是，在构成所述中央窗口的四边形状的分隔架上，在四边形的各隅角部附近分别连接气体导入管，可通过分隔架的内部流路向所述喷头供给工艺气体。为了实现上述课题，本专利技术涉及的基板处理装置的气体供给结构，具备可向腔室内喷射工艺气体的喷头，所述喷头的喷射面形成为曲面，在该曲面上形成的气体喷射口形成放射状结构。如上所述的本专利技术的解决技术问题的主要技术手段将通过下面说明的“专利技术的具体实施方式”或者所附的“附图”等的例示来说明得更加具体、明确，除了上述的主要的解决技术问题的技术手段之外，将会追加说明根据本专利技术的多种解决技术问题的技术手段。本专利技术涉及的基板处理装置的气体供给结构中，喷头以四边形环状结构配置在腔室的上部，能够向腔室内均勻地喷射工艺气体，因此，能够形成均勻的等离子体，具有提高沉积或者蚀刻处理性能的效果。而且，由于本专利技术中喷头的喷射面以曲面结构构成、喷射口形成放射状结构，因此，具有能更均勻地喷射工艺气体的效果。附图说明图1是图示本专利技术涉及的基板处理装置的剖视图。图2是图示本专利技术涉及的基板处理装置的导引架的立体图。图3是示出在本专利技术涉及的基板处理装置的导引架上配置有天线的结构的一实施例的俯视图。图4是示出在本专利技术涉及的基板处理装置的导引架上配置有天线的结构的另一实施例的俯视图。图5是表示在本专利技术涉及的基板处理装置中示出工艺气体供给结构的导引架上部的主要部分立体图。图6是沿图5的A-A方向的剖视图。图7是表示在本专利技术涉及的基板处理装置中示出工艺气体喷射结构的中央窗口的底面方向的立体图。图8至图10是示出本专利技术涉及的基板处理装置中的工艺气体喷射结构的多个实施例的概略剖视图。图11是示出本专利技术涉及的基板处理装置中的天线冷却结构以及绝缘板加热结构的俯视图。 图12是表示在本专利技术中用于天线冷却以及绝缘板加热的涡流发生器的剖视图。图13是沿图11的B-B方向的剖视图。图14是示出本专利技术中构成的天线的剖视图。图15是图示本专利技术涉及的基板处理装置中示出能量损失减少结构的一实施例的俯视图。图16是图示本专利技术涉及的基板处理装置中示出能量损失减少结构的另一实施例的俯视图。图17是表示图16的主要部分放大图。图18是表示与图17不同的另一实施例的主要部分放大图。图19是用于说明本专利技术的能量损失减少结构的效果的参考图。具体实施例方式下面，参照附图说明本专利技术的优选实施例。在说明本专利技术的多个实施例的结构时，对相同或类似的结构部分附予相同的附图标记，并省略重复说明。图1是图示本专利技术的一实施例涉及的基板处理装置的概略结构剖视图。本专利技术涉及的基板处理装置包括腔室主体11、设置在该腔室主体上且搭载基板 S的基板搭载台15及下部电极17、与所述腔室主体11的上部接合的导引架20、设置在该导引架20上的多个窗口 30、配置在这些窗口 30上的天线40及RF电源施加部50、以及向由腔室主体11和导引架20构成的腔室10内部供给工艺气体的工艺气体供给部60。详细说明如上所述的本专利技术涉及的基板处理装置的主要特征结构部分。首先，参照图2至图3说明导引架20。导引架20由四边框体结构形成，其内侧具有全部构成五个窗口 30的分隔结构。为此，导引架20包括构成四边框体的外廓面的外廓架21和在该外廓架21的内部相互连接而分隔五个窗口 20的分隔架25。在导引架20中形成的五个窗口 30包括位于导引架20中央部分的中央窗口 30A 和配置在该中央窗口 30A周围的四个周边窗口 30B。中央窗口 30A以及周边窗口 30B全部由四边窗结构构成，在本实施例的附图中表示四个周边窗口 30B以中央窗口 30A为中心按顺时针方向配置的结构。当然，周边窗口 30B 也可以以中央窗口 30A为中心按逆时针方本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种基板处理装置的气体供给结构，其特征在于，包括：导引架，具备构成多边形框体的外廓面的外廓架和设置在所述外廓架的内部且分隔中央窗口和该中央窗口周边的周边窗口的分隔架；喷头，在所述分隔架的底面以多边形环状结构配置，以便向腔室内部喷射工艺气体。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：孙亨圭，
申请(专利权)人：丽佳达普株式会社，
类型：发明
国别省市：KR