【技术实现步骤摘要】
抗蚀剂剥离剂组合物技术 领域本专利技术涉及一种照相平板印刷(photo-lithography)工艺中使用的抗蚀剂剥离 剂组合物,特别涉及一种在剥离用于形成金属布线的抗蚀剂时,可以使金属布线的 腐蚀达 到最小化,且抗蚀剂的剥离性能优秀的抗蚀剂剥离剂组合物。
技术介绍
抗蚀剂(光刻胶,photo-resist)是照相平板印刷工艺中必不可少的物质,而这种 照相平板印刷工艺一般应用于集成电路(integrated circuit, IC)、大型集成电路(large scale integration, LSI),超大型集成电路(very large scale integration, VLSI)等的 半导体装置和液晶显示装置(liquid crystal display, LCD)、以及平板显示装置(plasma display device, PDP)等的图像显示装置的制造上。然而,照相平板印刷工艺(photo-lithography processing)结束后,在高温条件 下使用剥离溶液来去除抗蚀剂,此时抗蚀剂在高温下被去除的同时,下层金属膜质会被剥 离溶液迅速腐蚀。 ...
【技术保护点】
1.一种抗蚀剂剥离剂组合物,其特征在于:所述组合物包含由以下化学式1表示的咪唑烷化合物和溶剂,[化学式1]上述化学式中,R1、R2分别独立或同时表示直链或支链上的C1-C5的烷基、烯丙基、C1-C5的烷基氨基、C1-C5的羟烷基、或C1-C5的烷基苯基。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:辛成健,金柄郁,尹锡壹,郑宗铉,许舜范,郑世桓,张斗瑛,权五焕,朴善周,
申请(专利权)人:株式会社东进世美肯,
类型:发明
国别省市:KR
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。