光刻用洗涤液以及配线形成方法技术

本发明专利技术提供一种光刻用洗涤液、以及一种使用该光刻用洗涤液的配线形成方法，该光刻用洗涤液对ILD材料的防腐效果优异，并且对光刻胶膜以及下层防反射膜的除去性能优异。本发明专利技术的光刻用洗涤液含有季铵氢氧化物、水溶性有机溶剂、水、和无机碱。水溶性有机溶剂含有偶极矩为3.0D以上的高极性溶剂、乙二醇醚类溶剂、和多元醇，相对于总量，上述高极性溶剂和乙二醇醚类溶剂的总含量为30质量％以上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光刻(lithography)用洗涤液，更详细而言，涉及不腐蚀低电介体材料等易腐蚀性材料、能够有效除去光刻胶膜及下层防反射膜的光刻用洗涤液。本专利技术还涉及使用了上述光刻用洗涤液的配线形成方法。
技术介绍
半导体装置是在硅片等基板上对金属配线层、低介电体层、绝缘层等进行层压而形成的装置，采用将光刻胶图案作为掩膜来进行蚀刻处理的光刻法，对上述各层进行加工从而制出该半导体装置。使用洗涤液来除去上述光刻法中所使用的光刻胶膜、暂时层压膜(亦称牺牲膜 (犠牲膜))、还有蚀刻工序中产生的的金属配线层以及来自于低介电体层的残余物，以避免其成为半导体装置的阻碍、并且避免其成为下一工序的阻碍。此外，近年来随着半导体装置的高密度化、高集成化，采用镶嵌法(damascene)的配线形成方法一直被采用。在该配线形成方法中，采用易发生腐蚀的铜作为构成半导体装置的金属配线层的金属配线材料，即，而且，关于构成低介电体层的低电介体材料(亦称 ILD材料)，随着向低介电常数化的发展，逐渐采用易发生腐蚀的ILD材料。因此，需要开发一种在进行基板的洗涤时不会腐蚀这些易腐蚀性材料的洗涤液。另外，在采用镶嵌法本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种光刻用洗涤液，其含有季铵氢氧化物、水溶性有机溶剂、水、和无机碱；所述水溶性有机溶剂含有偶极矩为３．０Ｄ以上的高极性溶剂、乙二醇醚类溶剂、和多元醇；相对于总量，所述高极性溶剂和所述乙二醇醚类溶剂的总含量为３０质量％以上。

【技术特征摘要】
2010.02.08 JP 2010-0258171.一种光刻用洗涤液，其含有季铵氢氧化物、水溶性有机溶剂、水、和无机碱； 所述水溶性有机溶剂含有偶极矩为3. OD以上的高极性溶剂、乙二醇醚类溶剂、和多元醇；相对于总量，所述高极性溶剂和所述乙二醇醚类溶剂的总含量为30质量％以上。2.如权利要求1所述的光刻用洗涤液，其中，所述高极性溶剂选自亚砜类、砜类、酰胺类、内酰胺类、内酯类、以及咪唑啉酮类中的1种以上。3.如权利要求1所述的光刻用洗涤液，其中，所述水溶性有机溶剂中的所述高极性溶剂的比例为5 60质量％，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：大桥卓矢，高滨昌，江藤崇弘，森大二郎，横井滋，
申请(专利权)人：东京应化工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP