电子束胶光掩模板的去胶装置制造方法及图纸

技术编号:6161390 阅读:269 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术涉及一种电子束胶光掩模板的去胶装置,安装在机座下部的驱动件其活动杆通过联板与驱动连杆连接,驱动连杆与支座连接;安装在机座上部的外槽体其槽壁四周安装有上喷嘴、底板有排液流道;内槽体通过支承架安装在外槽体内,托架的托盘设置在内槽体内,托盘底面具有环形凸筋,托盘下部的托座穿出内槽体与支座密封连接,托盘上设有支承座、与药液流道相通的药液下出口和周边的药液侧出口,托架的水道出口安装有下喷嘴;支座的药液混合腔与托架上的药液流道相通,支座与药液混合腔相通的两个独立进药孔其出口设有单向阀、进口与药液管道连接,套在支座外侧的柔性密封套密封连接在外槽体和托架的托座上。具有去胶成本低、生产效率高的特点。(*该技术在2020年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电子束胶光掩模板的去胶装置,属于半导体光掩模板的去胶

技术介绍
光掩模板(光罩)是集成电路芯片制造中用于批量印刷电路的模板。通过光刻方 法,将光掩模板上的电路图案大批量印刷到硅晶圆上。因此光掩模板上的任何缺陷都会对 芯片的成品率造成很大的影响。光掩模板经过曝光、显影之后,需要去除表面的光刻胶。传统的深槽式浸泡去除光 胶方式是将光掩模板放置在一个固定的槽体内,用专用的光胶剥离液或浓硫酸间隙性混合 过氧化氢进行浸泡,再将光掩模板放置在清洗池内进行清洗,达到去除光该胶的目的。这种 方法虽然生产效率高,但由于传统的化学槽设计和化学药液活性低且不稳定,而常规的去 胶方法需15 30分钟,因此每块光掩模板去胶消耗化学药液2 3升,一方面工艺流程耗 酸量大,另一方面,由于化学药液是循环使用,易造成交叉污染,去胶效果不稳定。再则因化 学试剂易稀释,而增加光掩模板浸泡时间又会导致光掩模板上的铬层损伤。另外一种是通过旋转喷淋方法去除光掩模板上的光刻胶,该去胶方法相对于传统 的深槽式浸泡式能够有效节省耗酸量,由于药液活性强,去胶后药液直接排掉不再循环使 用,不会造成交叉污染,去本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子束胶光掩模板的去胶装置,其特征在于:包括外槽体(2)、内槽体(3)、托架(5)以及支座(9)、驱动件(15)和机座(11),安装在机座(11)下部的驱动件(15)其活动杆通过联板(14)与驱动连杆(12)连接,驱动连杆(12)与支座(9)固定连接;安装在机座(11)上部的外槽体(2)沿槽壁四周的上部安装有喷口向下倾斜的上喷嘴(1)、底板具有排液流道;所述的内槽体(3)通过支承架(20)安装在外槽体(2)内,托架(5)的托盘(5-1)设置在内槽体(3)内,托盘(5-1)底面具有与内槽体(3)密封的环形凸筋(5-6),托盘(5-1)下部的托座(5-5)穿出内槽体(3)的开口与支座(9)密封...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:金海涛徐飞田炜赵延峰毛汛
申请(专利权)人:常州瑞择微电子科技有限公司无锡华润微电子有限公司
类型:实用新型
国别省市:32[中国|江苏]

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