发光器件和发光器件封装制造技术

本发明专利技术涉及发光器件和发光器件封装。发光器件包括：衬底，该衬底包括多个图案，每个图案包括多个突出部分；形成在图案之间的多个间隔；以及图案和间隔上方的发光器件结构。每个间隔包括介质，该介质的折射率不同于发光器件结构的折射率。

【技术实现步骤摘要】

实施例涉及一种发光器件和发光器件封装。
技术介绍
发光二极管(LED)是将电流转换为光的半导体发光器件。LED能够产生具有高亮 度的光，使得LED已经被广泛地用作用于显示装置、车辆、或者照明装置的光源。另外，LED 能够通过采用磷光体或者组合具有各种颜色的LED来表现具有优异的光效率的白色。为了提高LED的亮度和性能，已经进行了各种尝试以改进发光结构、有源层结构、 电流扩展、电极结构、以及发光二极管封装的结构。
技术实现思路
所述实施例提供具有新的结构的发光器件。所述实施例提供能够提高可靠性和质量的发光器件。所述实施例提供能够显著地提高光提取效率的发光器件。所述实施例提供能够获得均勻的光提取效率的发光器件。所述实施例提供包括所述发光器件的发光器件封装。发光器件包括衬底，该衬底包括多个图案，每个图案包括多个突出部分；位于图 案之间的多个间隔；以及位于图案和间隔上方的发光器件结构，发光器件结构包括第一半 导体层、有源层以及第二半导体层，其中，每个间隔包括这样的介质该介质的折射率不同 于发光器件结构的折射率。发光器件包括衬底和多个图案，所述多个图案被布置在衬底上方；其中每个图 案包括多个突出，所述多个突出在相互不同的水平方向上突出；形成在图案之间的多个 间隔；以及位于图案和间隔上方的发光器件结构，该发光器件结构包括第一半导体层、有源 层以及第二半导体层，并且其中每个间隔包括这样的介质该介质的折射率不同于发光结 构的折射率，并且所述图案中的一个图案的一个突出部分与另一图案的两个突出部分一起 形成一个间隔。发光器件封装包括主体；位于主体上方的第一和第二电极层；发光器件，该发光 器件被电连接到位于主体上方的第一和第二电极层；以及成型构件，该成型构件包围主体 上方的发光器件，其中每个发光器件包括多个图案，每个图案包括多个突出部分；形成在 图案之间的多个间隔；以及位于图案和间隔上方的发光器件结构，该发光器件结构包括第 一半导体层、有源层以及第二半导体层，并且其中每个间隔包括这样的介质该介质的折射 率不同于发光器件结构的折射率。根据所述实施例的发光器件封装至少包括发光器件。根据所述实施例的显示装置至少包括发光器件封装。根据所述实施例的照明装置至少包括发光器件封装。附图说明图1是示出根据实施例的发光器件的截面图2是示出图1的图案的视图3是详细地示出图2的图案的视图4至图9是示出根据实施例的发光器件的制造工艺的视图10是示出根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的截面图图11是示出根据实施例的显示装置的分解透视图12是示出根据实施例的显示装置的截面图；以及图13是示出根据实施例的照明装置的透视图。具体实施例方式在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或膜)、区域、图案、或结构被称为在另 一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一垫、或者另一图案“上”或“下”时，它能够“直接” 或“间接”在另一衬底、层(或膜)、区域、垫、或图案上，或者也可以存在一个或多个中间层。 已经参考附图描述了层的这样的位置。在下文中，将会参考附图描述实施例。为了方便或清楚起见，附图中所示的每层的 厚度和尺寸可以被夸大、省略、或示意性绘制。另外，元件的尺寸没有完全反映真实尺寸。图1是示出根据实施例的发光器件1的截面图。参考图1，发光器件1包括衬底110，该衬底110被提供有多个分支类型图案120 ； 间隔121，该间隔121形成在分支类型图案120之间；衬底110上方的第一半导体层130 ；第 一半导体层130上方的有源层140 ；有源层140上方的第二半导体层150 ；第二半导体层150 上方的透明电极层160 ；透明电极层160上方的第一电极170 ；以及第一半导体层130上方 的第二电极180。通过第一半导体层130、有源层140、以及第二半导体层150能够限定发射光的最 小发光结构。衬底110和分支类型图案120可以包括从由A1203、SiC、Si、GaAs, GaN、ZnO, Si、 GaP, InP,以及Ge组成的组中选择的至少一个。在衬底110上形成包括多个图案的掩模层之后，通过利用干蚀刻装置使用掩模层 的图案作为掩模的诸如(RIE)反应离子蚀刻或者ICP(电感耦合等离子体)的干蚀刻工艺 可以形成分支类型图案120。参考图2和图3，分支类型图案120可以包括至少三个突出部分120a、120b、以及 120c。分支类型图案120可以包括三个突出部分、四个突出部分、五个突出部分，或更多，但 是以下将把重点放在三个突出部分120a、120b和120c来进行描述。第一至第三突出部分 120a、120b、以及120c可以从位于第一至第三突出部分120a、120b、以及120c的中心处的 一个点(分支点)在三个不同的水平方向上突出。第一至第三突出部分120a、120b、以及 120c可以包括与衬底110的材料相同的材料，并且可以从衬底110形成。第一至第三突出部分120a、120b、以及120c具有带有圆凸形状的末端部分，但是实施例不限于此。分支点附 近的第一至第三突出部分120a、120b、以及120c的宽度可以窄于末端部分的宽度。因此， 在分支点附近的第一至第三突出部分120a、120b、以及120c之间可以形成第一至第三沟槽 123a、123b、以及123c。第一至第三沟槽123a、123b、以及123c可以具有圆凹形状。第一沟 槽123a可以形成在第一和第二突出部分120a和120b之间，第二沟槽12 可以形成在第 二和第三突出部分120b和120c之间，并且第三沟槽123c可以形成在第一和第二突出部分 120a和120c之间。分支类型图案120的形状可以进行各种修改，但是实施例不限于此。第一至第三突出部分120a、120b、和120c可以具有相同的长度或者不同的长度。 另外，形成在第一至第三突出部分120a、120b、以及120c中的两个相邻的突出部分之间的 角当中的最小角(Θ)等于或者小于120°，但是实施例不限于此。分支类型图案120的第一至第三突出部分120a、120b、以及120c中的一个的末端 部分可以被布置在与分支类型图案120相邻的另一分支类型图案的第一至第三沟槽中的 一个沟槽附近的位置处。可以以预定距离在分支类型图案120之间形成间隔121。例如，分支类型图案120 的突出部分的末端部分可以被插入到相邻的分支类型图案120的沟槽中同时与沟槽隔开 预定距离D，或者相邻的分支类型图案120的突出部分的末端部分可以被插入在分支类型 图案129的沟槽中同时与沟槽隔开距离D。然而，实施例不限于此。另外，分支类型图案120之间的距离D可以不具有预定的距离。换言之，如果分支 类型图案120之间的距离D处于形成间隔121的范围内，那么分支类型图案120之间的距 离D可以不是恒定的。通过一个分支类型图案120的一个突出部分和另一分支类型图案120的两个突出 部分可以限定一个间隔。例如，如果分支类型图案120具有五个突出部分，那么可以通过与 分支类型图案120的五个突出部分相邻的分支类型图案的突出部分在分支类型图案120的 附近形成五个间隔，但是实施例不限于此。可以以通过列和行方向限定的矩阵形状在衬底110上布置分支类型图案120。例 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：衬底，所述衬底包括多个图案，每个图案包括多个突出部分；位于所述图案之间的多个间隔；以及位于所述图案和间隔上方的发光器件结构，所述发光器件结构包括第一半导体层、有源层以及第二半导体层，其中，每个间隔包括这样的介质：所述介质的折射率不同于所述发光器件结构的折射率。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李昌培，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR